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温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响.pdf
第29卷第4期 无 机 化 学 学 报 V01．29No，4
2013年4月 CHINESE OF
JOURNALINORGANICCHEMISTRY 723—728
温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响
秦秀娟， 邵光杰舟，】，2赵 琳1
(1燕山大学，河北省应用化学重点实验室，秦皇岛066004)
(2燕山大学，亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室，秦皇岛066004)
摘要：低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂Zn0薄膜fAZ01制备技术依然是透明导电薄膜领域研究
的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜．研究了衬底温
度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外一可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结
果表明：在AACVD法生长AZO薄膜的过程巾．衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性
明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制。400℃时沉积的AZO薄膜方阻190n／口．平均透过率为80％。
关键词：气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)；AZO薄膜；温度；极性半导体；结晶质量
中图分类号：0614 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2013)04—0723—06
DOI：10．3969／j．issn．1001—4861．2013．00．061
EffectofSubstrate ontheAZOFilmsGrownAACVD
Temperature by Technique
SHAO Linl
Xiu—Juanl ZHAO
QIN Guang—Jie+’1’2
(1Hebei
KeyLaboratoryofAppliedChemistry,YamhanUniversity,Qinhuangdao，Hebei066004，China)
MetastableMaterialsScienceand
(zState of
KeyLaboratory Technology,YanshanUniversity,QinhuangdcⅡ)，Hebei066004，China)
ZnOthin withlow
Abstract：A1一dopedfilms(AZO)fabrication rate，
technique cost，largearea，highdeposition
well andexcellentandelectrical has of
uniformity beenonethemost aimsinthe
optical properties important
conductiveoxidefilmsresearchfield．AZOthinfilmswere onthe substratescold—wall
transparent grown glass by
aerosol—assistedchemi
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