激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷.pdfVIP

3102 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 激光辐照制备高介电常数Ta O 陶瓷* 2 5 ∗ 季凌飞，王 伟，于振龙，蒋毅坚 (北京工业大学 国家产学研激光技术中心，北京 100022) 摘 要：采用大功率 CO2 激光辐照制备高介电常数 κ通常约为30 左右。激光辐照制备的高介电常数 Ta2O5 陶瓷，讨论了激光制备工艺参数如激光光束模 Ta2O5 陶瓷κ≈60 。图1 描述了激光功率P=530W 时， 式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对 不同辐照时间、扫描速率对试样介电性能的影响。图 制备材料介电性能和组织形貌的影响，分析了其作用 示中的辐照时间不包括激光辐照预热时间。试样A － 机理。 F 的扫描速率依次为 200mm/min ，600mm/min ， 关键词：Ta2O5 陶瓷；激光辐照；高介电常数 800mm/min ，1000mm/min ，1500mm/min ，2000mm/ 中图分类号：TN249 文献标识码：A min 。 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-3102-02 1 引 言 Ta O 陶瓷具有优良可靠的介电性能及与微电子 2 5 加工工艺相匹配的特点，在高性能电容器、高密度动 态随机存储器 （DRAM ）、介质谐振器及滤波器等电 子器件的应用方面具有理想的开发性[1~3] 。本文采用 激光辐照工艺，在室温下快速制备出高介电常数 Ta2O5 陶瓷，其介电常数可提高约 80% ，且制备效率 图1 激光辐照对试样介电常数的影响 高，成本低。 Fig 1 Dielectric permittivities of irradiated samplesr 2 实 验 从图 1 中可以看出除了试样A 之外，其余试样的 介电常数均有不同程度的提高，且提高幅度基本随扫 片式Ta O 陶瓷坯材由纯度为99.99%的Ta O 粉 2 5 2 5 描速率的增加而增加。所有试样的介电常数值相对于 末球磨过筛，压制而成，直径约 10mm 。采用 辐照时间都有一个饱和值，但随着扫描速率的不同达 Rofin-SINAR 1kW CO2 激光器进行辐照实验，激光波 到相应饱和值所需的辐照时间也不相同。试样A 约需 长 10.6 μm 。 90s ，试样 B 约需 50s，当激光扫描速率接近或超过 实验在室温下空气环境中进行。辐照方式采用原 1000mm/min 时，所需辐照时间大大缩短，仅为30～ 位或扫描辐照，激光输出功率300～800W ，扫描速度