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离子掩蔽剂在制备铜银双金属粉中的应用.pdf
第40卷 第7期 稀有金属材料与工程 、,01.40.No.7
2011年 7月 RAREMET.ALMATERIALSANDENGINEERING 2011
July
离子掩蔽剂在制备铜银双金属粉中的应用
彭 优1,聂登攀2,薛涛2
(1.贵州大学,贵州贵阳550003)
(2.贵州省冶金化工研究所,贵州贵阳550002)
摘 要:采用化学置换法制备了系列铜银双金属粉,在制备过程中添加离子掩蔽剂,有效消除了铜氨络合离子在铜粉
表面的吸附,实现银在铜粉表面的连续包覆。分析了掩蔽原理及其主要影响因素,并用透射电子显微镜,热重分析仪,
x射线衍射仪对铜银双金属粉进行了表征。结果表明:在添加了离子掩蔽剂后制备铜银双金属粉末为连续包覆型结构,
分散性好,有效改善了铜粉的抗氧化性能。
关键词:铜银双金属粉;离子掩蔽剂;包覆
中图法分类号:TFl25.2+3 文献标识码:A 文章编号:1002-185X(2011)07—1251-05
金属银粉以其导电性、抗氧化性等优良性能被 实验所采用的试剂均为分析纯,未经过纯化处
广泛应用于各个领域,无论是性能还是应用,众多 理。称取一定量的微米级铜粉用5%稀硫酸清洗表面
金属粉末都无法比拟。但是,其价格昂贵,资源短 氧化物,并用去离子水洗净,用氯化亚锡活化、氯
000
缺,只能用于特殊的场合,不能大规模的应用。相 化钯敏化,添加表面活性剂并在10 r/min乳化
条件下充分分散;控制在20~80℃水浴条件下加稀
对于银粉,Cu粉价格较低(仅为Ag的1/20左右),
其导电性能也非常优良,但是由于铜粉表面高活化 硝酸调节pH值至3.0~5.0,加入一定量的离子掩蔽
的缘故,铜粉在非常低的温度下的氧化速率就非常 剂,搅拌;通入氮气氩气等混合保护气体排除反应
高,在与铜粉粒径成反比的非常迅速的氧化过后, 器中空气加以保护;配制好一定浓度的硝酸银溶液,
优良导电性却荡然无存【l】。在铜粉表面镀银则可以 边搅拌边缓慢滴加至铜粉溶胶中,充分反应后再滴
克服单一使用这两种粉体的缺点,因此,近年来, 加稀氨水调节pH值至7.0~11.0,再次充分搅拌反应
后水洗,酸洗,水洗,醇洗。所得铜银双金属粉在
关于制备Cu/Ag双金属粉的研究越来越多[2-4],主要
包括化学置换法[5·71、化学还原法[8·91、熔融气化法[10】干燥箱中低温烘干称重,制备出一系列的含银量不
等。其中,化学置换法(有的也称化学镀法)具有工艺 同的铜银双金属粉。
Able
简单,成本低等特点,吸引了研究者广泛的注意。 采用192 DMM数字式万用电表测
Program
但是在报道的化学置换法中,由于反应体系中氨离 其电阻,美国杜邦Q50热重分析仪测量粉末抗氧化性
子的存在,反应过程中生成的铜氨离子在铜粉表面
发生了竞争吸附,阻碍了Cu的均匀置换,制备出 射图谱,用日本电子公司JEM.2000FXII型分析型高
来的铜银双金属粉大都为点缀型包覆【lII,生产应用 分辨率透射电镜测量粉末形态。
前景大打折扣。
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