微波等离子体烧结锆酸钙陶瓷烧结特性研究.pdfVIP

图2降温速率对一价碱金属离子掺杂Zn0压敏陶瓷非线性系数A的影响规律。由图可见， A+或K+掺杂样品，其 对未掺杂样品其降温速率在30～50C／H时，戗达最大值，而对于N 降温速率可增大至150C～200C／H时，Ⅱ获最大值，可见，一价碱金属离子掺杂，可提高 样品的降温速率，使进入晶粒表面浅表层的离子被冻结在表层中，这部分一价碱金属离子将 对表层中的正电中心进行补偿，使正电中心浓度降低。这将使界面势垒高度提高，小电流区 的非线性特性增强，漏电流下降。 3．3样品的晶界特性分析 Zn0压敏陶瓷的晶粒边界电学特性参数(势垒高度中。，施主浓度N。，界面态密度N。和 耗尽层宽度w)可由其电容一电压特性曲线确定，据文献[4]它们遵从以下规律： c吉一寺2=篙鬻……………．．㈤ 其中C。一零偏压下单位面积的晶界电容，C～偏置电压V下的单位面积晶界电容。 线，由直线的斜率和截距可求出N。和中。，由中。和N。可求出界面态密度N。和耗尽层宽度 w。其计算结果如表2所示。 表2一价碱±金属离子Na+掺杂对Zn0压敏陶瓷晶界电学性能的影响 掺杂物浓度 施主浓度N。 势垒高度中。 界面态密度N。 耗尽层宽度w (ppm) (×1018cmq)(eV) (×1012Clll一2)(x10书cm) 40ppmNa+ 4．1 0．6 5．27 4．03 60ppmNa+ 4．2 0．73 5．61 4．38 80ppmNa+ 4．25 0．74 5．87 4．45 100ppmNa+ 4．34 0．79 5．94 4．47 150ppmNa+ 4．28 0．81 5．99 4．52 由表2可知：随着Na+掺杂含量的增加，施主浓度N。基本保持不变，而势垒高度中。、界 面态密度N。和耗尽层宽度w增加，因此掺Na+样品的漏电流减少，非线性系数增大。对于掺 K+样品其作用规律与掺Na+样品基本一致。 4．结论 (I)ZnO压敏陶瓷掺入一价碱土金属离子后，开始使压敏场强E．。降低，接着随着掺杂量的 增加，E。。迅速增加，且很快超过未掺杂的数值。 (2)随着～价碱金属离子掺杂含量的增加，晶界施主浓度N。基本保持不变，而势垒高度。。、 界面态密度Ns和耗尽层宽度w增加，从而使样品的漏电流减小，非线性系数增加。 (3)一价碱金属离子掺杂能提高样品的非线性系数n和样品在高温时的降温速率。对于 值。 参考文献 1 ofZincOxideVaristorsj．Am．CeramSoc1990， _r．K．Gupta，Application 73(7)：1817～1840． 2 Kazuo Tsudaandlkuo of Mukae，Kouichi Properties Nagasawa，Non-Ohmic ～ 1977 1361 ZnO-RareMetalOxide-C0304 ，】6(8)： Ceramics．Jap．J．Appl．P ．hys 3 D．．Clarke inaCommercialZnOBasedVaristor．