CdSeCdZnSe超晶格的激子光学性质的研究.pdf

第 卷 第 期 光 学 学 报 ， 年 月 ， 文章编号： （ ） 超晶格的激子光学性质的研究! 张希清 梅增霞 段 宁 徐 征 王永生 徐叙 （北方交通大学光电子技术研究所信息存储、显示与材料开放实验室，北京 ） （香港科学技术大学物理系，香港） 摘要： 用分子束外延法在 衬底上生长了 超晶格结构。利用 射线衍射（ ）、 下 变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了 超晶格结构和激光复合特性，在该材料中 观测到激子 激子散射发射峰，变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象。激子发射峰的 线宽随着温度的升高而展宽，低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的，高温时激子线宽展宽是 由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的，光致发光的强度随着温度的升高而降低，这主要 是由激子的热离化造成的，也就是说，热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。 关键词： 激子；超晶格； 中图分类号： 文献标识码： 引 言 构的研究较少。由于各类光电子器件的制备要求最 好能在室温工作，这就要求量子阱和超晶格的价带 半导体量子阱和超晶格具有大的激子结合能、 偏差和导带偏差都比较大，对 量子阱 大的光学非线性和快的非线性响应速度，在光电子 就要求有大的 组分。另一方面，半导体量子阱 器件中具有广泛的应用，因而引起了许多科学家的 和超晶格材料制备的光电子器件的运行机制都是由 极大兴趣。然而到目前为止，对 族化合物半导 激子性质决定的，因而深入研究量子阱和超晶格的 体异质结构的研究远比 族化合物半导体结构 激子传输和复合，了解量子阱和超晶格中激子运行 广泛。实际上， 族化合半导体材料的带隙覆盖 机理，对半导体量子阱和超晶格光电子器件的设计 紫外到远红外区域。而且 族体材料中自由激 及制备是非常重要的。本文报道了用分子束外延法 子结