IBAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响.pdf

工业技术 I BAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响 、 赵予甲 (国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心 江苏苏州 21 5000) 双轴织构的逐步过渡，这说明辅助束离子在薄膜生长过程中作用非常明显；这一现象除了选择性溅射模型和各向异性破坏模型能解释外， 表面自由能和辅助离子束产生的沟道效应相互竞争的作用也可解释取向竞争现象。 关键词：离子束辅助沉积 YSZ辅助离子束 择优取向 9 中图分类号：046 文献标识码：A 文章编号：1672--3791(2015)04(a)--0088--02 BeamAssisted新的材料体系YBCO涂层导体…，由于其广各种工艺参数对YSZ薄膜取向的影响，发现 于1992年发现IBAD(Ion Deposition，简称IBAD)l’2iT_艺可以制备双阔的和令人兴奋的应用前景，对IBAD诱导IBAD诱导的YSZ双轴取向发生在生长过程 轴织构的钇稳定的氧化锆(YSZ)，正是这一双轴织构氧化物薄膜的生长的研究越来越 中，而不是在成核过程中。曾经发现了YSZ 事件开辟了高温超导体应用领域的一个全 多。其中，Sonnenberg等Ⅲ研究了沉积过程的薄膜中(011)和(001)两种取向的竞争卜“， 该文研究了辅助离子束流和能量较弱的情 况下，YSZ薄膜取向竞争的情况。辅助离子 束流对薄膜生长的影响即可等效为离子／ 原子到达比对薄膜生长的影响。通过实验 。 ● 发现随着离子／原子到达比和辅助离子能 }_-，。●E_’，T， 量的增加，薄膜的取向优势从(011)转变为 ，‘， ，·，。 ，’， ，·／ (001)，并且面内也出现良好的择优取向。 ， ．，4 ，“，‘ ， 。， 、／ ，‘， ，t／ ，， ，，。 。，。， }，’r。●j．，‘ ．，’ 。 1实验 ．。，_ ●●1r’，● _‘．，‘， L，’ ^，‘ ／’1 ，+， ．，’ ，。，’， 实验中，气体充入真空室之前的背景 ． - ．，‘， - 、， ， ， √ ，‘ X 5；o。