Ni离子注入AlN薄膜的磁性研究.pdfVIP

第32卷第4期 华北水利水电学院学报 V01．32No．4 ofNoahChinaInstituteofWater Power 2011年8月 Journal and ConservancyHydroelectric Aug．2011 文章编号：1002—5634(2011)04—0156一03 Ni+离子注入AIN薄膜的磁性研究 徐进霞1，许磊2，刘雅娴1 (1．武汉东湖学院，湖北武汉430212；2．华北水利水电学院，河南郑州450011) 摘要：用40 x kV的Ni+离子在室温下对玻璃衬底上生长的AIN薄膜进行离子注入，注入剂量为5．0 10”ions／cm2，在N：气氛下分别经400℃，600℃退火lh后，用超导量子干涉仪分析样品磁学特性．结果表 明，Ni注入AIN薄膜未退火样品显示铁磁性；经400℃退火后铁磁性增强，居里温度大于室温；经600℃退火 后样品铁磁性消失显示为顺磁性．结合透射电子显微镜对注入样品进行微结构研究。揭示Ni注入是进行AIN 磁性掺杂的有效手段．在Ni注入A1N制备得到的稀磁半导体中，Ni和相邻的N之间的P—d杂化被认为是Ni 注入(AI，Ni)N体系中磁性起源机制． 关键词：AIN；稀磁半导体；离子注入；超导量子干涉仪 近年来，随着自旋电子学的发展，稀磁半导体被 的恢复，选择加速电压为40kV，注入剂量为5．0× 认为是一种理想的制作自旋电子器件的材料，引起 1016ions／cm2． 了人们广泛的研究兴趣¨。一．稀磁半导体一般是在 1 实验方法 非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子 所形成的一类新型功能材料，具有新颖的磁光、磁电 A1N薄膜由中频反应磁控溅射制备，厚度约为 800 性能旧“-．国内外学者主要采取2种方式得到稀磁 nm．将金属蒸发真空弧离子源引出的Ni+离子 半导体：一种是在半导体中引入磁性过渡族金属离 注入到由磁控溅射在SiO：衬底上制备的AIN薄膜 子或稀土离子来部分代替晶格中的阳离子，从而得 上，Ni的加速电压为40kV，Ni离子的剂量为5．0× 10”ions／cm2，束流小于2 到稀磁半导体；另一种是在半导体衬底上外延生长 mA／cm2．将样品在N，气 磁性金属化合物，形成磁性一半导体异质结构．后一 氛下退火，退火温度分别为400℃，600℃，退火时 间均为1 2010 种结构由于2种材料体系结构差异而无法获得良好 h．采用日本电子公司生产的JEM 2010FEF 界面．因而，稀磁半导体一般是通过第一种方法获 (HT)电镜(点分辨率0．24am)和JEM 得．离子注入作为一种非平衡态下的掺杂技术，具有 (UHR)电镜(点分辨率0．19nm)观察和分析样品 可精确控制掺杂浓度和深度、直进性强、掺杂均匀性 的形貌和结构，得到样品的明场像、选区电子衍射 好、操作灵活、易于控制等优点，是实现半导体可控