PECVD生长纳米硅薄膜的X射线衍射分析.pdfVIP

第 40 卷第 4 期 理化检验物理分册 Vol. 40 　No. 4 ( ) 2004 年 4 月 PTCA PART A : PHYSICAL TESTIN G Apr. 2004 实验方法 PECVD 生长纳米硅薄膜的 X 射线衍射分析 宓小川 , 陈英颖 吴则嘉 , 刘晓晗 , 杨晟远 , 张林春 (宝山钢铁股份公司技术中心分析测试研究中心 , 上海 201900) (上海维安新材料研究中心有限公司 , 上海 200082) 摘 　要 : 等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极 ( ) 薄的薄膜 ,采用 X 射线薄膜衍射法即 X 射线以低掠射角 1°～5°入射 ,延长 X 射线在薄膜中的行 程 ,同时将聚焦光路改为平行光光路 , 以提高来 自薄膜的衍射强度 ,得到纳米硅薄膜的衍射峰 。借 此方法 ,研究了本征膜和掺磷薄膜的硅晶体结构及掺磷浓度对硅晶粒大小和晶格微观畸变的影 响 。 关键词 : X 射线衍射 ; 等离子增强化学沉积 ; 纳米硅薄膜 ; 相 ; 晶粒尺寸 ; 微观畸变 中图分类号 : O484. 1 ; 　TG115. 23 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2004) XRD ANAL YSIS OF NANOSIL ICON THIN FIL M PREPARED B Y PECVD MI Xiaochuan , CHEN Yingying ( Testing Center , R D Center , Baoshan Iron Steel Co. Ltd. , Shanghai 201900 , China) WU Zejia , L IU Xiaohan , YANG Shengyuan , ZHANG Linchun ( Shanghai Wayon Material Research Center , Shanghai 200082 , China) Abstract : Si thin film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) is characterized by smallthickness and nanocrystallites. As a result , it is hard to obtain the diffracted Xrays from Si thin film by conventional focusing optical method. In this paper , an alternative way is introduced , in which focusing optics is changed θ to parallelbeam optics and lowangle incidence is achieved by fixing the axis to increase the diffracted Xrays from the Si thin film and remove the contribution of intensity from the substrate