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2 Vol． 7 No． 2
第 期
2012 4 Journal of CAEIT Apr． 2012
年 月
檵檵檵檵檵檵檵檵殝
檵
殝
檵
檵 综 述
檵 殝
殝檵檵檵檵檵檵檵檵
T / R ( )
组件核心技术最新发展综述 二
，
吴礼群 孙再吉
( ， 2100 16)
南京电子器件研究所 南京
。 (WLP)
工艺集成 圆片级封装 是其中一种主要技
2 ． 4 新型集成技术
。
术途径 在圆片工艺下实现的无源片上集成
2 ． 4 ． 1 模块级集成 (IPD)、 、( )TSV (
高密度铜互连 硅通孔 和圆片 芯
新一代T / R 组件无疑将采用三维集成技术来 ) T / R ，
片 键合将进一步提升 组件的集成密度 直接
T / R 。DARPA “
大幅度缩小 组件的体积 的 可重构 的效果将是相控阵雷达的小型化。
收发器的可缩放毫米波结构(SMART) ”
计划 的目标 T / R 组件技术的长期发展将可能迎来以异构集
就是提高毫米波孔径的集成水平。 ， 。
成为主要内容的片上集成微系统 也就是片上平台
SMART 2006 ，
计划始于 年 目的是开发三维集
。
成辐射表皮的多层模块 将在薄型结构上制造完整 3 T / R 组件现状及发展趋势
T / R ， 2010 4 ，
的 组件 到 年 年期项目结束时 在厚度远
1 cm 5 W / cm2 。
小于 的表皮上获得 的功率密度 该方 3． 1 T / R :
组件的发展趋势之一 基于圆片级
法有助于快速开发出最小封装内的多波段固态阵列。 封装的T / R 组件开始出现
SMART ，
按 计划要求 一个叠层中可以同时安
，
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