不同温度对热超声键合工艺连接强度的影响.pdfVIP

第26卷第8期 焊 接 学 报 V01．26No．8 2005年8月 2005 TRANSACT【ONSTHE Augllst OF CHINAWELDINGINST]盯UTION 不同温度对热超声键合工艺连接强度的影响 隆志力， 韩 雷， 吴运新， 周宏权 (中南大学机电工程学院，长沙410083) 摘要：在有规律地改变键合温度的条件下，分析不同温度对热超声键合工艺连接强度 的影响规律，并研究温度因素对整个系统的P砑换能器输入功率及阻抗的影响。试验 研究发现，温度过低(低于601℃)导致键合不成功或连接强度很低，温度过高(高于 300℃)导致连接强度降低，最佳的键合窗口出现在200～240℃区间，此时连接强度达 20 g左右。对推荐使用的大于5．4g的连接强度标准，文中试验条件下可键合窗口为 120～360℃。而且，对于恒定额定功率设置的PzI．换能器系统，温度的改变导致PzI． 换能器实际加载的功率及阻抗的改变。这些试验现象和分析结果可作为整个键合系统 工艺参数匹配及优化的依据。 ’ 关键词：热超声键合；键合温度；连接强度；PZT换能器功率；Pz．I换能器阻抗 中图分类号：TN605文献标识码：A 文章编号：0253—360x(2005)08—23—05隆志力 O 序 言 响，以此查明这些参数之间存在的内在关联。 在一级芯片封装领域中，热超声芯片键合工艺 1 试验方法 以过程简单、效率高、无充填材料、无污染等优点而 被认为是满足下一代芯片封装要求的具有发展潜力 热超声芯片键合工艺的原理是，在一定的超声 的新工艺和新技术…。在各类封装工艺中，键合参 波能量、温度能量、以及压力能量的相互作用下，金 数的匹配相当重要，因为键合参数直接影响芯片与 球与基板之间产生键合。从而完成芯片I／O端口 基板的连接强度及整个系统的能量传递。对于热超 之间的互连。热超声键合系统主要是由超声发生 声键合工艺，影响金球与基板连接强度的因素多种 器、PzT(锆钛酸铅压电陶瓷)换能器、变幅杆、以及 多样，除了超声、温度以及压力之外，烧球质量、劈刀 劈刀等部分组成，图1为典型的热超声芯片键合系 质量、金丝线的拱度、手动操作时的平稳性、以及运 统。 动机构的稳定性等因素都直接影响键合的连接效 1．1 试验原理 果。当前，对热超声键合参数匹配及优化的研究缺 在保持固定的功率、时间、压力以及烧球电流时 乏系统性，而各个键合参数之间相互影响规律的深 间等键合参数的条件下，改变键合温度，完成芯片金 入研究更是未见报道。 球凸点与基板的键合。同时测试一焊键合周期内的 出于对芯片材料及键合设备的保护，目前的芯 PzT换能器输入电压和电流信号，然后测试连接强 片封装技术正向低温或室温条件发展。温度是热超 度。PzT换能器输入功率和阻抗的分析有利于整个 声键合工艺中不可或缺的因素之一，对热超声键合 键合系统的超声能量传递及键合效果的性能评 效果起着重要的作用。温度过高将会影响到材料本 判[3]。这是因为PzT输入功率和阻抗的变化直接 身，相反则有可能无法保证键合质量【2J。文中通过 反映金球与基板连接强度的形成，二者存在必然的 试验探求了温度因素对连接强度的影响规律，并分 联系，而通过检测PzT驱动电压和电流可以计算