原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
光刻与等离子体刻蚀技术,等离子体刻蚀,等离子体刻蚀机,感应耦合等离子体刻蚀,等离子体刻蚀机原理,等离子体干法刻蚀机,光刻蚀,光刻烧蚀区别,硅干法刻蚀光刻胶,光刻和蚀刻的区别
实验技术
光刻与等离子体刻蚀技术
刘 之 景
( 中国科学技术大学天文与应用物理系 合肥 230026)
刘 晨
( 中国科学技术大学电子工程与信息科学系 合肥 230027)
摘 要 介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展 ,阐述了等离子体刻蚀的物理机制与前沿问
题.
关键词 光刻 ,等离子体刻蚀 ,物理机制
L ITHO GRAP HY AND PLASMA ETCHING TECHNOLO GY
Liu Zhij ing
( )
Dep art ment of A st ronomy and A pp lied Physics , University of S cience an d Technology of Chi na , Hef ei 230026
Liu Chen
( )
Dep art ment of Elect ron Engi neeri ng and I nf orm ation S cience , University of S cience an d Technology of Chi na , Hef ei 230027
Abstract The characteristics and progress of lit hography technique and plasma etching technolo
gy are summarized . Their physical mechanisms and current research problems are also explained .
Key words lit hography , plasma etching , physical mechanism
表 1 IC 发展趋势
1 引言 年 1995 1998 200 1 2004 2007 20 10
技术指标
μ
特征尺寸/ m 0 35 0 25 0 18 013 0 10 007
(
巴丁 、布拉顿和 肖克莱 Bar deen ,Bratt ain , DRAM 集成度/ bit 64M 256M 1G 4 G 16 G 64 G
Shockley) 于 1947 年发 明了第 一支 晶体 管 , 芯片面积/ mm2 190 280 420 640 960 1400
( )
文档评论（0）