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产生X射线的条件： 产生自由电子的电子源（阴极） 自由电子撞击靶（阳极） 施加于阴极和阳极间的高压电场 将阴阳极封闭于其中的高真空系统 X射线本质上是一种电磁波，具有波粒二象性； X射线的波长： 10－3 ~ 10 nm 特征谱：波长一定、强度很大的特征谱。特征谱只有当管电压超过一定值Vk（激发电压）时才会产生，只取决于光管的阳极靶材料， X射线连续谱的强度随着管电压增加而增大，最大强度所对应的波长(max变小，最短波长界限(0减小。 保持管压、增加管流时，各波长的Ｘ射线的相对强度均增高，但(max和(0不变。 改变阳极靶元素时，各波长的Ｘ射线的相对强度随靶元素的原子序数增加而增加。 连续谱的总强度与管流强度、靶的原子序数及管压的平方成正比。 对一定的元素靶，当管压增加到超过某一临界值V 激后，连续Ｘ射线谱中某几个特定波长的射线强度突然显著增大。(T特征谱) 其中Ｋ和σ均为常数。这个关系式就是著名的莫塞莱定律。 管流和管压的增加只增强特征射线的强度，不改变波长。管流Ｉ和管压V 与特征射线强度Ｉ特的关系为： 这些原子就成了新的电磁波波源，以球面波方式，向四周散射波长与入射Ｘ射线相同、位相差恒定的散射Ｘ射线，这种现象称为经典散射，又称为相干散射。 a.不同方向散射波的强度不同，在入射方向（2θ = 0o）上强度最强，在入射线垂直方向（2θ = 90o）上强度最弱。 b.散射波强度与入射波频率或波长无关 c.散射强度与R 的平方成反比，即 I e随R 的衰减很快，实测I e 是大量电子散射波干涉的结果。 d. I e与电子质量平方的倒数成正比，即重粒子散射的强度可忽略不计。故晶体中散射的基本单元是电子。Ｘ射线在空间散射强度的分布反映了电子在空间的分布。 处于激发状态的原子通过电子轨道间的电子跃迁，辐射出新的Ｘ射线特征谱线，叫做二次特征辐射， 原子中内层电子被激发后，外层电子将向内层跃迁，释放出的能量还可引起另一外层电子电离，从而发射出具有一定能量的电子，称为俄歇电子，此过程称为俄歇效应 I/I0称为X射线穿透系数， I/I0 ＜1。 I/I0愈小,表示x射线被衰减的程度愈大。 阳极靶的选择： 滤波片的选择 选择λk 刚好位于Kα和 Kβ之间的金属薄片作为滤波片，放于Ｘ射线源和试样之间。这样Kβ被滤波片强烈吸收掉，而Kα却很少被吸收，滤波后Ｘ射线几乎就剩下Kα了。 在A方向上，有波程差ΔA，当ΔA = nλ (n = 0,1,2,3,L)两个波的位相相同，两个波相互加强，合成波振幅增大，合成波振幅等于两个波原振幅的叠加。 在B方向上，波程差ΔB = (n +1/ 2)λ (n = 0,1,2,3,L)，两波的位相不同，一个波的波峰与另一个的波谷重叠，合成波振幅为零。 因此，两个波的波程不同就会产生位相差，随着位相差的变化，其合成波振幅也有变化。 在满足布拉格定律的方向上，各晶面的散射波位相都相同，其振幅互相加强，散射强度增加，这样，在与入射线成2θ角的方向上就会出现衍射线。而其他方向上的散射波位相不同，振幅互相抵消，散射强度减弱或完全消除。 衍射和反射有如下本质的区别： a. X 射线不仅被晶体表面的原子散射，而且被晶体内层原子散射，衍射线是晶体中X 射线 b. x射线从原子面的反射和可见光的镜面反射不同，前者是有选择地反射，其选择条件为布拉格定律；而一束可见光以任意角度投射到镜面上时都可以产生反射，即反射不受条件限制。 c. 良好的镜面对光的反射效率几乎可达100%，而X 射线衍射线的强度远比入射线微弱。 路径上所有原子散射波干涉的结果。而光的反射仅发生在表面（两种介质的界面）。 x射线的晶面之所以有选择性，是晶体内若干原子面反射线干涉的结果。 X 射线衍射的本质是晶体中大量原子对X 射线散射的散射线之间相互干涉的现象。 布拉格方程应用 用已知波长的X射线去照射晶体，通过衍射角的测量求得晶体中各晶面的面间距d，这就是结构分析------ X射线衍射学； 用一种已知面间距的晶体来反射从试样发射出来的X射线，通过衍射角的测量求得X射线的波长，这就是X射线光谱学。 倒易点阵的几何意义是：正点阵中的每组平行晶面(hkl)相当于倒易点阵中的一个倒易点，此点必须处在这组晶面的公共法线上，即倒易矢量方向上；倒易点至原点的距离即倒易矢量的长度为相应晶面间距的倒数。由无数个倒易点组成的点阵即为倒易点阵。若已知某一正点阵，就可得出相应的倒易点阵。 衍射线束的方向由晶胞的形状、大小决定 衍射线束的强度由晶胞中原子的位置和种类决定，衍射线束的形状大小与晶体的形状大小相关。 晶胞内原子位置不同或原子种类不同，将使某些方向上的衍射强度减小甚至消失，这种现象称为系统消光。系统消光现象说明布拉格方程只是反射的必要条件，而不是充分条件 结构因子 F 定义为以一