3集成电路中地无源元件.ppt

* * 在外延层上覆盖一层P型扩散层，就可做成更高阻值的电阻，即外延层沟道电阻，其结构与基区沟道电阻类似。 式中： RS为沟道区方块电阻；L为P 型扩散区长度；W为外延层宽度。 外延层沟道电阻 * * 5.离子注入电阻 与高温（热）扩散掺杂技术比较，离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，且横向扩散小 ,阻值容易控制，精度较高。 硼离子注入电阻是在N 型外延层上注入硼离子形成电阻区，在电阻区的两端进行P型杂质扩散，以获得欧姆接触，作为电阻的引出端。 该电阻由两部分组成 离子注入区电阻 p+区端头电阻。 p+区端头的掺杂浓度较高，阻值很小，实际的电阻值主要由离子注入区电阻决定。 * * 硼离子注入电阻的特点： （1） 薄层电阻RS的可控范围大， 为0.1-20KΩ/□，所以可做的阻值范围较大。 （2）由于离子注入工艺横向扩散比较小，离子注入电阻的实际尺寸W,L可由注入掩膜窗口精确确定。 （3）电阻的温度系数TCR与退火条件及RS等有关，所以可以控制。 因此离子注入电阻的精度较高，常用来做大阻值的高精密电阻。 LD为源漏扩散时横向扩散量。 主要用来做存储器存储单元的负载电阻。 * * 3.1.3. MOS集成电路中常用的电阻 多晶硅电阻 Si SiO2 Leff L W poly-Si SiO2 S D 在硅栅MOS 集成电路中常用的一类电阻是多晶硅电阻，结构如图所示。 这类电阻的阻值为 * * 导电层 绝缘层 在集成电路中，电容也是一个重要的元件。IC中应尽量避免使用电容器，因电容器占面积大。 * * 普通PN结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点。 在MOS工艺中实现的MOS电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%~5%，此外在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与MOS器件相匹配。 ————在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。 ————在D/A、A/D转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。 * * 3.2.1双极IC中常用的集成电容器 1.反偏PN结电容器 PN结电容器的制作工艺完全和NPN管工艺兼容，但其电容值做不大。 发射结的零偏单位面积电容大， 但击穿电压低，约为6～9V； 集电结的零偏单位面积电容小， 但击穿电压高，大于20V。 在双极集成电路中，集成电容器有反偏PN结电容器和MOS电容器。 * * 发射区扩散层—隔离扩散层—隐埋层结构，这种电容实际上是两个电容并联，所以可以增大PN零偏单位面积电容CjA0。 由于存在P﹢N﹢结，击穿电压只有4～5V。 由于隔离（衬底）结面积较大，所以CjS也较大, 提高衬底结的反偏电压，减小CjS 提高PN结零偏单位面积的电容CJA0 并联电阻： 串联电阻： * * 为提高MOS电容器的Q值（品质因数，评价回路损耗的指标），必须减小R值，所以一般制成方形，以减小R的方数（L/W），使阻值下降。 等效电路 2.双极集成电路中的MOS电容器 介质：氧化膜,厚度大于1000? p N+ 上电极：铝膜 N-epi 隔离槽 下电极：N+发射区扩散层 R是下电极N+发射区扩散层电阻 * * 由半导体物理知，在一般情况下MOS 电容器的电容值 CMOS 和电容器两端的电压VMS 以及下电极掺杂浓度有关。 实验表明: 下电极用Ｎ+发射区扩散层，且掺杂浓度N ≈1020 / cm3时， 氧化层厚度 tOX 0.1μm 可以认为电容器的电容值MOS C 与工作电压及信导频率无关。所以 MOS电容器特点 单位面积电容值CA较小（CA=3.1~6.2×10-4pF/μm2），所以占用芯片面积大 击穿电压高，BV﹥50V； 温度系数TCC小，约为20×10-6/℃； 下电极用N+发射区扩散层时，MOS电容值基本上与电压大小及电压极性无关 单个MOS电容误差△C/C较大，±20%，电容间匹配误差可小于±10%； 寄生Cjs大，可增大衬底电压来减小。 绝缘层的击穿电场强度（5～10）×106V/cm 单位面积电容值 * * n 叠式结构电容 槽式结构电容 氧化膜 电容极板 金属引线 n 大电容结构 在设计大容量电容时，为了减小电容所占面积，通常采用叠式或槽式结构的电容，如图所示，它们是在DRAM(动态随机存取存储器)中常用的电容结构。 * * 晶硅作为上极板的电容器结构 栅氧化层： 作为介质 多晶硅：作为上电极 3.2.2 MOS IC中常用的MOS电容