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Fastest Switching Qgd Lowest Rds(On) Regulator電路 Regulator SEN與REF比較後負回授成立DRV穩定 MOSFET規格表看法 MOSFET規格表看法 Off characteristics： Vdss：Power MOSFET的Drain-Source間所能忍受的最大 電壓，主要受制內藏於Power MOSFET內的反body diode的耐壓。 IDSS：所謂的漏電流，通常很小，但有時確保耐壓，在晶片 周圍設計,多少會有漏電流存在，但在實際應用上並 沒有什麼問題。 IGSS：為gate周圍所介入的氧化膜的漏電流，此值越小越 好，標準值在10nA。 On characteristics： Vgs(th)：此為Power MOSFET開始ON時的輸入電壓值， 此表示的為在Junction為25度C時的最大值與最小 值。 Rds(on) ：此為Power MOSFET在導通時的電阻成分。 SA MOSFET Measurement SA MOSFET Measurement ◆Shoot Through ※確認CPU VRM中High-Side MOS與Low-Side MOS是否有 同時導通 ON OFF OFF ON V P W M C O N T R O L L E R + – O U T V I N ON ON I in (兩個MOS同時導通時+12V對GND短路會產生很大的電流) Cross point voltage = 1.2V MOSFET SPEC: Loading = 0A 下冲(Undershoot) Cross point voltage = 2.2V Loading = 115A Page * Confidential Page * Confidential Page * Confidential MOSFET Introduction HTDE 2011-01-24 Agenda 1. MOSFET Theory 2. MOSFET Type 3. MOSFET Selection 4. SA MOSFET Measurement 5. MOSFET Failure Analysis MOSFET Theory MOSFET的誕生 MOSFET在1960年由貝爾實驗室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭 克萊（William Shockley）等人發明的雙載子電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT )截然不同，且因為製造成本低廉與使 用面積較小、高整合度的優勢， 在大型積體電路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是 超大型積體電路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的領域裡，重要性遠超過BJT。 MOSFET的核心 MOSFET的核心 MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為 核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶矽取代金屬作 為其閘極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作 為基極的矽，而其上則是作為閘極的多晶矽。 這樣子的結構正好等於一個電容器（capacitor），氧化層扮 演電容器中介電質（dielectric material）的角色，而電容值 由氧化層的厚度與二氧化矽的介電常數(dielectric constant） 來決定。閘極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端 點。 金屬—氧化層—半導體結構 MOSFET的結構 MOSFET的結構 一個NMOS的立體截面圖 NMOS電路符號 MOSFET的操作模式 MOSFET的操作模式 依照在MOSFET的閘極(G)、源極(S)，與汲極(D)等三個端點 施加的「偏壓」（bias）不同，一個常見的加強型 （enhancement mode）n-type MOSFET有下列三種操作區 間： ◆截止或次臨限區(cut-off or sub-threshold region) 當閘極和源極間的電壓VGS（G代表閘極，S代表源極）小 於一個稱為臨界電壓(threshold voltage, Vth)的值時，這個 MOSFET是處在「截止」(cut-off)的狀態，電流無法流過這 個MOSFET，也