半导体材料导论3.pptVIP

第二节 基本原理 第三章：半导体材料的性质与性能 超晶格种类：每种材料层的厚度通常为晶格常数的2~20倍。而周期数可以作到几十、几百甚至上千层。如果周期较多，由于电子波函数的耦合，使原来的各单量子阱的能级展宽成能带。 超晶格材料可分为组分超晶格、掺杂超晶格、复型超晶格、应变层超晶格、短周期超晶格、非晶超晶格等。 考虑到异质结界面处能带的不连续性有不同情况，组分超晶格又分为I型、II型、III型。上述的GaAs--GaAlAs为I型超晶格。现在研制出的超晶格材料已有几十种。 Ec2 Ec1 Ev2 E2e E1e E3e Ev1 E1lh E3hh E2hh E1hh E2lh d Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs 图3.10Ga1-xAlxAs /GaAs量子阱能带图 低维结构：上面所说的都是载流子的运动在一维空间受到限制、而在两维可自由运动的情况。用同样的原理，可以使载流子在两维受到限制、在一维自由运动，称之为量子线。也可使载流子的运动在三维方向均受到限制（零维），称为量子盒或称量子点。零维、一维、二维材料统称为低维材料。 二维电子气的高迁移率已用于制出实用化的高电子迁移率晶体管（HEMT）等微波器件。量子阱超晶格已用作激光器、光电二极管、光学双稳态器件等。 量子阱超晶格是一种人工结构的新材料。可以按器件需要“设计”材料的能带结构，所以这类材料的制备与应用称为“能带工程”。能带工程是新一代的半导体技术，这种技术使材料的制备技术达到原子级的精度，又使半导体的光学、电学特性可“剪裁”。这种材料孕育着巨大的潜力。 远在1821 年，德国人塞贝克（Seebeck）发现在锑与铜相接触所形成的回路中，如果一个接触点与另一个接触点的温度不同，就会产生电动势，此即塞贝克效应。 T T+DT DV Seebeck系数a常用的单位是?V?K–1，可正可负，取决于构成回路的两种导体的温差电特性。 3.6 热电效应 ? Seebeck Effect (1823) 热电效应:是由温差引起的电效应（塞贝克效应）和由电流引起的可逆热效应（帕尔贴效应）的总称，因此也称之为温差电效应。 相应的材料称之为热电或 温差电材料。 ? Peltier Effect (1834) Peltier 效应 （当电流方向从p型半导体流入n型半导体时，接头处温度升高并放热，反之，接头处温度降低并从外界吸收热量。） + - I 到了1834年，法国人帕尔帖（Peltier）发现当电流通过两种金属的接点时，往一个方向使触点放热，换成相反方向，则使触点吸热，此现象称为波尔帖效应。 在很长一段时间里，这两方面的研究都集中在金属材料方面，所取得的应用主要是作测温的热电偶。 曾想利用塞贝克效应进行发电，但试验证明，利用金属材料所得的热电转换效率很低，最高不超过0.6% 。 当对半导体材料进行研究时发现，它的热电转换效率可达3.5%以上。 V ice water T heating coils thermocouple * 1 半导体材料的特征 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间,S为西门子，电导单位，S=1/r(W. cm) ； 一般金属为107~104S/cm,而绝缘体则10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个 数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 第一节：概述 1.2半导体材料的类别 对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类，见表1。 在化合物半导体中，有机化合物半导体虽然种类不少，但至今仍处于研究探索阶段，所以本书在叙述中只限于无机化合物半导体材料，简称化合物半导体材料。 1.2.1 元素半导体 已知有12个元素具有半导体性质，它们在元素周期表中的位置如图1.1所示。 从这里也可以看出半导体材料与物质结构的密切关系。 化合物半导体