半导体物理 第八章2.pptVIP

势垒区内n不是恒定的, 因而dEF/dx也不是恒定的.用Ncexp[-(Ec-EF)/kT]代替n, 可把上式改写为 这就是扩散理论的结果．上述结果形式上与两极管理论相似，只是以界面最大电场下的漂移速度代替了vr. 但EM随反向偏压的增加而增加，因此上式给出的反向电流应随反向偏压缓慢增加． 两种理论的适用条件 通常的肖特基势垒的厚度均在微米上下，载流子的平均自由程为几百埃．在这种情况下两极管理论能否使用？ 若以扩散理论为基础， 若?较大，可能有?EMvr，即在势垒更厚的条件下得到的电流比薄势垒的单纯的热发射电流还要大，不合理。 这种情况表明载流子通过势垒区的阻力较小．在此情形下载流子在界面发射所要消耗的界面费米能级降落不再能够忽略．这时我们必须把载流子的扩散和发射这两个“串联”的环节一并加以考虑．显然，在扩散阻力很小的最佳情况下得到的电流不应超过两极管理论给出的电流. 上式中用vd代替了?EM．可见在?EM=vdvr的极限条件下，上式约化为式(8-2-10)，即单纯两极管理论所得的结果．在这种情形下，扩散的阻力很小，电流受界面处的热发射限制．另一方面若?EMvr, 则式(8-2-19)约化为扩散理论的式(8-2-16)，这时电流的限制因素是扩散. 以上的结果说明，作为两极管理论的使用条件dl是过于苛刻了．实际上只要是?EM大于或接近热运动速度的高迁移率情形，两极管理论则适用或近似适用．对此有人曾从实验上进行过验证． 对于Si、Ge、GaAs的计算表明，在势垒区中费米能级的降落通常可以忽略不计(但在大的偏压下，能带近于平直，?EM下降，这时单纯两极管理论不适用． 对于低迁移率的材料。例如Cu2O、无定形硅及真空蒸发的CdS多晶薄膜(??1cm2/V?s，vr/vd?600) 扩散理论适用． §8. 2. 4 隧穿电流和欧姆接触 和在简并pn结中发生的情况相似，当势垒足够薄时，能量低于势垒的载流子也可以穿透势垒形成电流，在整个势垒较厚的情形下，能量接近于势垒高度的一部分载流子所要隧穿的势垒却很薄，有较大的隧穿几率，如图8.6所示意．其效果相当于势垒略有降低．这种情形称为热电子场发射．但随着掺杂浓度的提高势垒越来越薄，有更多的低于势垒高度的电子能够隧道穿透。 一种极端的情况是欧姆接触，其中隧穿电流占优势，接触电阻有较低的值．接触电阻定义为  一般来说，具有不同能量的电子的隧穿几率不同，T可以写作电子能量?的函数T(?)．对各种能量电子对隧穿电流的贡献积分可得总电流，由之可求得Rc. 结果是 可见掺杂浓度愈高，Rc愈小．图8.7的曲线为对不同势垒高度?m和不同掺杂浓度的n—Si肖特基势垒计算的Rc．实验点是由PtSi—n-Si和A1 —n-Si及Mo—n-Si肖特基势垒得到的． 8.2.5 其它电流机制 少子注入电流 考虑n型半导体和金属的接触．前面我们只考虑了在正向偏压下导带电子由半导体流向金属．实际上价带中的空穴也同时将又金属半导体界面流向半导体内部：在界面附近空穴浓度较高，在正向偏压下空穴由界面向半导体内部扩散。界面附近流走的空穴由金属中的空穴补充（实际上是半导体价带顶部附近的电子流向金属，填充金属中(EF)m以下的空能级，而在价带顶附近产生空穴）。电流的大小同样可由分析空穴准费米能级的变化得到． 这里的问题实际上和pn结中注入电流问题相同．需要知道空间电荷区边界d处的空穴准费米能级的位置．由于界面处金属和半导体中的空穴浓度都较高，交换空穴容易，可以认为界面处金属费米能级与半导体中空穴准费米能级EFh处在同一水平上．由于势垒区中空穴浓度比半导体内部高得多，根据式(6-1-6)，空穴准费米能级基本上水平通过势垒区，降落主要发生在空间电荷区以外的半导体内部(参看图8. 8)． 计算表明，这时注入少子电流的式(8-2-27)中的Dp/Lp应被(Dp/Lp+Dp/r0)所代替．r0是金属丝尖部的曲率半径．这可使少子注入效率显著提高．在漂移实验中就是利用这种接触注入少子．大的偏压下也可以有高的注入比． 类似于pn结，反向偏置的肖特基势垒也可以抽取半导体中的少子． 肖特基势垒附近出现附加的少子可导至反向电流的增加．电流的大小将正比于少子浓度． §5. 3中的收集探针的作用正是基于上述现象． §8. 3 势垒高度 在这一节中我们着重介绍半导体的表面能级对金属半导体接触势垒的影响，并介绍镜像力对势垒高度的修正. 巴丁模型 在§8.1中，我们已经指出简单的肖特基模型并不能全面说明实验事实．根据该模型，对于n型半导体，只有在