半导体物理分章答案第八章.pptVIP

§8.1 表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 强反型时空间电荷层达到最厚 由8-43式得 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最常见的是Na离子，对器件稳定性影响最大。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，呈无规则排列的多孔网络结构，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 作偏压–温度（B-T）实验，可以测量二氧化硅中单位面积上的Na离子电荷量： 单位面积钠离子电荷数： 二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的，不随偏压而变化； 这些电荷位于Si-SiO2界面200?范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 一般认为固定正电荷的实质是过剩硅离子 这些电荷出现在Si-SiO2界面200?范围以内，这个区 域是SiO2与硅结合的地方，极易出现SiO2层中的缺陷及 氧化不充分而缺氧，产生过剩的硅离子 实验证明，若在硅晶体取向分别为[111]、[110]和 [100]三个方向生长SiO2时，他们的硅–二氧化硅结构中 的固定表面电荷密度之比约为3:2:1。 将氧离子注入Si-SiO2系统界面处，在450度进行退火，发现固定表面电荷密度有所下降 将MOS结构加负偏压进行B-T实验，当温度高到一定程度（如350度）时，固定的表面电荷密度有所增加。 氧化层受到高能磁辐射时，可以在氧化层中产生电子－空穴对。在偏压作用下，电子－空穴对中的电子容易运动，而漂向电极。空穴则被陷阱所陷，在氧化层中形成正电荷，这就是陷阱电荷。 使C-V特性平移，平带电压为负值。 在300度以上进行退火，可以很快消除。 在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为 （1）二氧化硅中的可动离子 降低碱金属离子影响的工艺方法： (a) 磷稳定化 (b)氯中性化 （2）二氧化硅中的固定表面电荷 固定电荷引起的电压漂移： 功函数差与固定电荷引起的电压漂移： 则单位面积的固定电荷数目为： （3）硅-二氧化硅界面处的快界面态 快界面态与表面态类似，指未被饱和的悬挂键，位于硅-二氧化硅界面处，形成表面能级，可以快速与半导体的导带或价带交换电荷。之所以称为快界面态是为了与二氧化硅外表面未饱和键以及吸附的分子、原子等所引起的表面态区别开。 硅表面的晶格缺陷和损伤，将增加悬挂键的密度，同样引入界面态。 界面态的特点： 界面态密度与晶体的晶向有关。 峰值分布：认为界面态能级连续地分布在禁带中，其中有两个高密度峰：一个靠近导带底为受主界面态；另一个靠近价带顶为施主界面态 界面态电荷密度随外加偏置而变，不但可改变平带电压，还会使C-V曲线形状改变。 减少界面态的方法： 将硅-二氧化硅系统在含H的气氛中退火，可显著降低界面态。 （4）二氧化硅中的陷阱电荷 rm是一个无量纲量，代表氧化层中可动离子电荷中心相对于氧化层厚度的归一化量，如果可动离子全部在金属-氧化层界面，rm=0，如果可动离子全部在二氧化硅-硅界面，rm=1。 通常，QNa、Qfc导致C-V特性曲线相对理论曲线沿电压轴发生平行的负漂移；由于QIT引起的VFB会因所加的偏置不同或正或负，QIT会使特性曲线发生扭曲或扩展。 （5）VFB总结 §8.5 表面电导及迁移率 Surface conductivity and mobility （1）表面电导 表面薄层附加电导 — 表面势Vs变化引起的平行于表面方向电导的改变量。用方块电导表示。 表面薄层电导： 考虑到x=0，V=Vs和x=∞，V=0，则得 同理可得 （2）表面载流子有效迁移率（表面迁移率） 表面迁移率 — 载流子在表面层中的平均迁移率。 表面迁移率的特点：载流子的有效迁移率与表面电荷密度有关。表面迁移率的数值比相应的体内迁移率约低一半。 §12.1 霍耳效应 霍耳效应：若半导体沿x方向通电流，z方向加磁场，则在y方向将产生横向电场，该现象称为霍耳效应 产生的横向电场称为霍耳电场Ey，它与x方向电流密度Jx和z方向磁感应强度Bz成正比，比例系数成为霍耳系数。 （1）一种载流子的霍耳效应（以p型半导体为例） 稳定条件下，横向电流为零，则 由此可得： 显然，对于p型半导体： 对于p型半导体： * * 金属栅电极 绝缘层 VG VG C0 Cs 半导体 MIS结