半导体物理器件 Chapter5.pptVIP

5.1 JFET的基本结构和工作过程 5.1 JFET的基本结构和工作过程 2.工作原理 场效应：半导体的电导率被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应 。 5.1 JFET的基本结构和工作过程 JFET的几个突出的特点: ① JFET的电流传输主要由一种型号的载流子-多数载流子承担，不存在少数载流子的贮存效应，因此有利于达到比较高的截止频率和快的开关速度。 ② JFET是电压控制器件。它的输入电阻要比BJT的高得多，因此其输入端易于与标准的微波系统匹配，在应用电路中易于实现级间直接耦合。 ③ 由于是多子器件，因此抗辐射能力强。 ④ 与BJT及MOS工艺兼容，有利于集成。 5.1 JFET的基本结构和工作过程 教学要求 简述JFET的基本工作原理。 为什么说JFET实际上是一个电压控制的电阻。 熟悉沟道夹断、漏电流饱和、夹断电压等概念。 5.2 理想JFET的I-V特性 1.理想的JFET基本假设及其意义 单边突变结：SCR在轻掺杂一侧 沟道内杂质分布均匀：无内建电场，载流子分布均匀，无扩散运动。 沟道内载流子迁移率为常数； 忽略有源区以外源、漏区以及接触上的电压降，于是沟道长度为L； 缓变沟道近似，即空间电荷区内电场沿y方向，而中性沟道内的电场只有X方向上的分量：二维问题化为一维问题。 长沟道近似：L?2a，于是W沿着L 改变很小，看作是矩形沟道。 5.2 理想JFET的I-V特性 2.夹断前的电流－电压特性 JFET中x处耗尽层宽度为 5.2 理想JFET的I-V特性 5.2 理想JFET的I-V特性 5.2 理想JFET的I-V特性 沟道夹断与夹断电压： 5.2 理想JFET的I-V特性 例 5.2 理想JFET的I-V特性 教学要求 掌握理想JFET的基本假设及其意义。 了解夹断前JFET的I－V特性方程（5-4）。 深入理解沟道夹断和夹断电压的含义。根据公式 5.3 静态特性 （5-8） 5.3 静态特性 可见，夹断电压由栅电压和漏电压共同确定。对于不同的栅电压来说，为 达到夹断条件所需要的漏电压是不同的。 在图5-4?a中把（5-9）式绘成曲线，称为夹断曲线。超出夹断曲线的电流— 电压特性称为饱和区，这是漏极电流是饱和的。 5.3 静态特性 式中 表示栅极电压为零（即栅源短路）时的漏极饱和电流。 5.3 静态特性 5.4 小信号参数和等效电路 JFET所包含的电学属性 ： 5.4 小信号参数和等效电路 5.4 小信号参数和等效电路 5.4 小信号参数和等效电路 线性输出导纳等于饱和跨导。典型的跨导的实验曲线绘于图5-6中。 5.4 小信号参数和等效电路 5.4 小信号参数和等效电路 5.4 小信号参数和等效电路 简化的等效电路绘于图5-9中，对于大多应用，这种简单的电路已经足够。对于低频的运用，电容可以忽略不计。 5.4 小信号参数和等效电路 教学要求 结合图5.7分析JFET所包含的电学属性，从中总结出：线性区漏极导纳、线性区跨导、饱和跨导、栅极漏泄电流、栅极电容、器件封装电容、源、漏串联电阻和 漏极电阻等。 分析上述电学参数和交流小信号参数所代表的物理意义。 绘出简化的交流小信号等效电路图5.9。 5.5 JFET的截止频率 截止频率 :不能再放大输入信号的最高频率。 5.5 JFET的截止频率 讨论：在（5-26）式中 的项等于 ，因而 为夹断电压所决定。在考虑最高频率时，通常这一项无法调节。（5-26）式中其它可调节的量为迁移率和沟道长度。为了实现最好的高频性能，要有高的迁移率和短的沟道长度。 5.5 JFET的截止频率 教学要求 掌握概念：截止频率 导出截止频率公式（5-26） 了解实现高频性能的途径：高的迁移率和短的沟道长度。 5.6 夹断后的JFET的性能 5.6 夹断后的JFET的性能 在沟道中心，电中性的沟道区承受电压 ，耗尽的沟道区承受电压 。由于被减短的电中性沟道长度承受着同样的 ，而沟道长度减少了，因而，对于夹断后的任何漏极电压，都会使漏极电流略有增加。由于这个原因，夹断后的漏极电流不是饱和的，且漏极电阻为有限。 5.6 夹断后的JFET的性能 5.6 夹断后的JFET的性能 5.6 夹断后的JFET的性能 5.6 夹断后的JFET的性能 其中用了 5.6 夹断后的JFET的性能