半导体物理第五章02.pptVIP

由于半导体内部的相互作用，使得任何半导体在平衡态总有一定数目的电子和空穴。 从微观角度讲，平衡态指的是由系统内部一定的相互作用所引起的微观过程之间的平衡。 也正是这些微观过程促使系统由非平衡态向平衡态过渡，引起非平衡载流子的复合，因此，复合过程是属于统计性的过程。 非平衡载流子如何复合？根据研究 一、载流子的复合机理： ⅰ 按载流子能量状态改变形式分 直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁复合。 间接复合：电子与空穴通过禁带中的复合中心复合。 ⅲ 按复合发生的空间位置分 体内复合: 复合过程发生在半导体内 表面复合：复合过程发生在半导体表面 半导体中总存在着载流子产生和复合两个相反的过程。 单位时间和单位体积内所产生的电子—空穴对数称为产生率； 单位时间和单位体积内复合掉的电子—空穴对数称为复合率。 半导体中的自由电子和空穴在运动中会有一定概率直接相遇而复合，使一对电子和空穴同时消失。 从能带角度讲，就是导带中的电子直接落入价带与空穴复合。同时，还存在着上述过程的逆过程，即由于热激发等原因，价带中的电子也有一定概率跃迁到导带中去，产生一对电子和空穴。 这种由电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合过程就是直接复合。 n和p分别表示电子浓度和空穴浓度。单位体积内，每一个电子在单位时间内都有一定的概率和空穴相遇而复合，这个概率显然和空穴浓度成正比，可以用 rp表示，那么复合率R就有如下的形式 R=rnp (5－12) 比例系数 r称为电子－空穴复合概率。 因为不同的电子和空穴具有不同的热运动速度，一般地说，它们的复合概率与它们的运动速度有关。这里 r代表不同热运动速度的电子和空穴复合概率的平均值。 在非简并半导体中，电子和空穴的运动速度遵守玻耳兹曼分布 因此，在一定温度下，可以求出载流子运动速度的平均值，所以 r也有完全确定的值， 它仅是温度的函数，而与 n和p无关。 因此，式 (5-12)就表示复合率正比于 n和p。 在一定温度下，价带中的每个电子都有一定的概率被激发到导带，从而形成一对电子和空穴。 如果价带中本来就缺少一些电子，即存在一些空穴，当然产生率就会相应地减少一些。 同样，如果导带中本来就有一些电子，也会使产生率相应地减少一些。因为根据泡利原理，价带中的电子不能激发到导带中已被电子占据的状态上去。 但是，在非简并情况下，价带中的空穴数相对于价带中的总状态数是极其微小的， 导带中的电子数相对于导带中的总状态数也是极其微小的。 这样，可认为价带基本上是满的，而导带基本上是空的，激发概率不受载流子浓度 n和p的影响。因而产生率在所有非简并情况下，基本上是相同的，可以写为 产生率=G (5-13) 热平衡时，产生率必须等于复合率。此时 n=n0, p=p0，根据式 (5-12)和式(5-13)，就得到 G和r的关系 由上述讨论，非简并下，非平衡时的产生率也等于热平衡时的产生率。 非平衡时，复合率减去产生率就等于载流子的净复合率。由式 (5-12)及式 (5-13)可以求出非平衡载流子的直接净复合率 非平衡时 并且 所以 由此得到非平衡载流子的寿命为 由上式可以看出，复合概率r越大，净复合率越大， 值越小。寿命 不仅与平衡载流子浓度n0, p0有关，而且还与非平衡载流子浓度有关。 一般地说，禁带宽度越小，直接复合的概率越大。所以，在锑化铟 (Eg = 0.18eV)和碲(Eg=0.3eV)等小禁带宽度的半导体中，直接复合占优势。 实验发现，砷化镓的禁带宽度 (Eg =1. 428eV)虽然比较大一些，但直接复合机构对寿命有着重要的影响，这和它的具体能带结构有关。 5.4.2间接复合 半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，它们除了影响半导体的电特性以外，对非平衡载流子的寿命也有很大的影响。 实验发现，半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，寿命就越短。这说明杂质和缺陷有促进复合的作用。 这些促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。间接复合指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。这里只讨论具有一种复合中心能级的简单情况。 禁带中有了复合中心能级，就好像多了一个台阶，电子－空穴的复合可分两步走: 第一步，导带电子落入复合中心能级; 第二步，这个电子再落入价带与空穴复合。 复合中心恢复了原来空着的状态，又可以再去完成下一次的复合过程。 显然，一定还存在上述两个过程的逆过程。 相对于复合中心能级Et而言，共有四个微观过程： ①俘获电子过程。复合中心能级Et从导带俘获电子。 ② 发射电子过程