HTeO-%2c2--%27%2b-在Au电极上的电化学还原过程的研究.pdfVIP

E．001 ．HTe02+在Au电极上的电化学还原过程研究 至盟’，李菲晖 (天津大学化工学院应用化学系，天津，300072，E-mail：wwangg@驴u．edu．C／1) Bi2Te3掺杂化合物及其衍生物是室温范围内性能最佳的温差电材料．随着微电子技术及 MEMS技术的发展，微型温差电器件近年也得到快速发展，薄膜温差电材料的研究更是得 到广泛关注．薄膜温差电材料的制备方法一般有化学法及物理法【l】．其中，液相电化学沉积 薄膜温差电材料的方法简单易操作、成本低，且可方便地通过调节电沉积参数以及镀液组成 来控制材料的掺杂浓度及结晶状态，获得理想的晶体结构及化合物组成，因而具有更大的优 势．电化学沉积法制备Bi：Te，及其掺杂化合物薄膜温差电材料已逐渐成为近年研究的热点 [2‘71．Bi2Te3及其掺杂化合物的电化学形成是一个复杂的过程，涉及到元素Bi、Te及相关掺 杂元素的电化学还原以及其间的相互影响。尽管已有文献报道了元素Te(IV)的电化学还 原过程，但认为其电化学还原是一步完成的．考虑到一步得到4个电子的电化学还原过程的 困难性【引，作者采用电化学测试技术对元素Te(IV)的电化学还原过程进行了系统研究． 本论文采用三电极、二回路的电化学测试体系，通过测试HTe02+在Au电极上的循环 伏安曲线(CV)以及电化学阻抗(EIS)，研究了HTe02+在Au电极上的电化学还原过程． 图la)为Au电极在0．0lmol／L HTe02+溶液中的循环伏安曲线，扫描速度10mV／s，可以看出， 在负向扫描的过程中出现了四个阴极还原峰，但在正向扫描的过程中只出现一个阳极氧化 峰。阴极还原峰以及阳极氧化峰的大小以及峰型均差别较大，说明反应是不可逆的．为了对 各个还原峰产生原因作进一步的确定，测试了不同扫速下的CV曲线(如图lb所示)，通 过对峰电流密度同扫速之间的关系的分析发现前三个还原峰所对应的电化学还原反应同反 应物或产物在电极上的吸附有关，而最后一个还原峰仅由扩散造成。 图1Au电极在0．01moFLHTe02+溶液中的循环伏安曲线，无搅拌 ofAuelectrodeinO．01mol／L Fig．1Cyclicvoltammogram HTe02+solution，unstirred 为了进一步验证CV曲线的分析结果，实验又对各个峰电位下交流阻抗谱图(图2)进 行了测试，可以看出除峰A外其它峰电位下的阻抗谱中均含有两个阻抗半圆，此结果表明， 除峰A外，其它峰所对应电位下发生了不止一个电化学还原反应。此外，在峰C所对应电 位下测得的谱图中出现的感抗弧进一步证明了吸附现象的存在． 677 E．001 电极上的电化学还原过程可认为是通过以下两步完成的：首先HTe02+还原为低价态的中间 以及还原出的低价态中间产物HTeO+在Au电极上均存在吸附现象。 ⅧII々_t一，-z- 图2Au电极在0．01mol／LHTe02+溶液中不同电位下的交流阻抗谱图 EIS measuredatdifferent in0．01mol／LHTe02+solutiononAusubstrate Fig．2 plots potentials 本研究为国家高技术研究发展计划(863计划)(No．2006AA032345)资助项目。 参考文献： I H．Materials 【I】Kim Letters，2000，44：75． 【2】S．Michel，S．Diliberto，C．Boulanger,etal，JournalofCrystalGrowth，2005，277：274． al，NanoLetters，2003，3：973． 【3】M．G．Marisol，S．G．Jeffrey,L．P．Amy,et