InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱的研究.pdfVIP

簟十一■量_化●-牛●嶙、tt-忡光气●怫●枣●讧 I nP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究 杨新荣，徐波，王占国，任云云，焦玉恒，梁玲燕，汤晨光 (中墨科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京，100083) 擅耍：制鲁了地基近红外波段量子线激光器．在变注^条件的室温连续电致发光谱测试中，观察到了不同于带填充效应的谱型变化． 低激励时，高能峰先出现．髓撤励电流增加。高能峰减弱并随后消失，同时低能峰出现并擞射．经分析认为，所制备的激光器脏注入电 流的增加表现出的这种特殊的澈射谱，是由于自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的． 关链词。蛐量子线．hP基．激光罂，撒射谱 中图分类号：TN365，TN40598十4 PACC：2852R3270,4255P 2002CB311∞) 作者通信地址l email,舯g】cr0毗i1．semi．∞．cn l引言 自组织量子点(线)体系因其优越的光电性质而成为目前研究热点。理论预计，自组织量子 点(线)激光器具有比传统的量子阱激光器更稳定的温度特性、更高的增益以及更小的阈值电流 等诸多优点[1，2]。迄今已有美国得克萨斯大学、日本NEc实验室以及俄罗斯约飞研究所等几个小 组成功地制备了室温激射波长在1．3Ⅱm的自组织量子点激光器[3—7]。目前大部分有关量子点 大的争议性。InP基材料是半导体领域中与GaAs并列的另一重要体系，制备InP基量子点(线)结 构，可使材料体系发光波长延伸至l_55(光纤通信窗口)以上，这是GaAs基体系很难实现的。从 目前研究看，由于m舢／hlP体系比较复杂，生长条件的变化和不同的器件结构对器件特性的影响 非常明显。对I叭s，h1P体系材料的生长和器件结构都需要做进一步的研究，以提高各项性能，达 到实用化的目的。本文报道了室温连续激射111P基InAs量子线激光器，并对其独特的激射光谱进行 了分析。 2实验 我们设计制各的量子线激光器的基本结构如图1所示，图中左边是各层的材料、浓度、右边是 各层所起的作用。 生长过程中钼托高速旋转以增加样品的生长均匀性。具体生长过程如下：首先脱去村底 InGaAs p+1×10”接触层 InAiAs p+1×1018上限制层 InGaAIAs 上波导层 InGaAiAs20hm 10层有源区 InAs 4．5地 InGaAlAs 下波导层 InAIAsn+1Xi018下限制层 InP(100)n+村底衬底 1 thelaserstrocrture 图l辙光罂基本结构Fig 氧化层，然后依次生长晶格匹配(300 confined ℃。我们采用的是分别限制型结构(separate 81 l十■●★■t●-■‘●-，Itl”*’I_¨●t 制光场的扩展，提高光模限制因子，明显使阈值电流密度降低[8]。激光器二极管被制作成脊宽22 Ⅱm，腔长5mm的边发射激光器。 3结果及分析 图2为激光器结构有源区的透射电镜g=002的暗场截面像，图2a为沿[110]方向，图2b为沿 卜i10】方向。由图2可知，。其有源区为沿[-ii0]方向的量子线，量子线的平均宽度和高度分别为 25nm，6nm．图中可清楚地看到有源区的周期性结构，在生长方向表现为正对准和斜对准，两种对 准方式的混合是由四元化合物InAlGaAs的相分离所引起。 圈2激光罂结构样品透射电镜g=002的暗场截面像，a沿(1一io]方向的像·b沿[1lO]方向的儡 FIG 2DBrkfield(s-002)cm$l{鲥on缸TBMin皿gesofla哪s虮l蛐sample 血e【110] 图3为不同电流下激光器室温连续电致发光谱，插图为激光器室温连续工作时的电流功率曲 线，阈值电流为1000mA。如图所示，激