2.5场效应晶体管放大电路的分析方法.pptVIP

2.5.1.3 场效应管放大电路分压偏置 2.5.3.1 共漏组态放大电路的静态分析 输入电阻Ri CS：Rg1 // Rg2 CD：Rg+ (Rg1 // Rg2 ) CG：R//(1/gm) 组态对应关系 CS共源 / CD共漏 / CG共栅 共源和共漏场效应管放大电路的输入电阻取决于偏置电路的电阻值，与偏置电路的形式有关。 共栅放大电路的输入电阻最小，基本上等于跨导的倒数与源极电阻的并联。 输出电阻Ro CS：rds // Rd CD：R//(1/gm) CG：Rd 组态对应关系 CS共源 / CD共漏 / CG共栅 共源放大电路的输出电阻，等于漏极负载电阻Rd与晶体管漏源输出电阻rds的并联。当rds很大时，近似等于Rd。 共漏放大电路的输出电阻，等于源极负载电阻R与晶体管跨导倒数的并联，其值很小。 共栅放大电路的输出电阻，等于漏极负载电阻Rd。 详细情况可参阅各种场效应管的特性曲线。 为了与信号源内阻Rs相区别，场效应管放大电路中的源极电阻用R表示。 第2章 基本放大电路 2.5 场效应晶体管放大电路的分析方法 2.5.2 共源组态基本放大电路的分析 2.5.3 共漏组态基本放大电路的分析 2.5.4 共栅组态基本放大电路的分析 2.5.5 三种基本放大电路的比较 2.5.1 场效应管放大电路的偏置 2.5.1.1. 场效应晶体管放大电路的三种组态 场效应晶体管有三种不同的组态(或称为三种接法)： 共源极组态，与共发射极组态对应； 共漏极组态，与共集电极组态对应； 共栅极组态，与共基极组态对应。 (a) 共源组态 (b) 共漏组态 (c) 共栅组态 图02.05.01 场效应放大电路的三种组态 RS 2.5.1 场效应管放大电路的偏置 采用场效应晶体管构成放大电路时，不管什么组态，必须将静态工作点偏置到具有线性特性的恒流区。但是场效应晶体管与双极型晶体管不同，它是电压控制电流源器件，所以场效应管是电压偏置。分析场效应管放大电路也必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通路和交流通路。在进行动态分析之前，也需要先进行静态工作点的计算。 对于绝缘栅型场效应管放大电路，根据转移特性曲线，可以确定栅源电压UGS是正还是负；对于结型场效应管放大电路，以避免栅流来决定栅源电压UGS的正或负。 场效应管放大电路要处于放大状态，必须有合适的偏置电压。由于场效应管有结型和绝缘栅型二大类，其中又分有增强型和耗尽型，N沟道和P沟道等类型，但结型场效应管只有耗尽型。对于建立放大状态偏压而言，只与沟道类型、增强型还是耗尽型有关。场效应管放大电路的偏置有分压偏置和自给偏压两种。图02.05.02是分压偏置，增强型和耗尽型管均可采用；自给偏压见图02.05.03，它只能采用耗尽型场效应管。 图02.05.02 分压偏置 图02.05.03 自给偏压 2.5.1.2 场效应管放大电路设置偏置的规律 图02.05.04是N沟道FET的转移特性曲线，对于图(a)耗尽型FET应偏置在负栅区，对于图(b)增强型FET应偏置在正栅区。N沟道耗尽型FET放大电路，可采用分压偏置外，也可采用自给偏压。采用自给偏压时，Rg2中无电流，所以UG=0。在负栅区因IDSS＞0，故US＞0，于是UGS=UG-US = - ID R，可满足负偏压的要求。对于增强型管，因UGS=0时，ID=0 ，故不能采用自给偏压。 (a) 耗尽型管转移特性曲线 (b) 增强型管转移特性曲线 图02.05.04 场效应管的转移特性曲线 具体的偏置电路形式：场效应晶体管放大电路的电压偏置有两种形式，分压偏置和自给栅偏压。自给栅偏压只能采用耗尽型场效应管。 对于不同类型的场效应管归纳如下： MOS增强型N沟道管放大电路， UGS0工作， UGS0截止; MOS增强型P沟道管放大电路， UGS0工作， UGS0 截止。 MOS耗尽型N沟道管放大电路， UGS0工作，也可UGS0; MOS耗尽型P沟道管放大电路， UGS0工作，也可UGS0 。 对于结型场效应管放大电路，无论是N沟道还是P沟道管，以避免出现栅流来决定栅源电压UGS的正或负。即N沟道管放大电路为UGS0； P沟道管放大电路为UGS0。 分压偏置共源组态场效应管放大电路如图02.05.05 所示，图(a)采用增强型管；图(b)采用耗尽型管。两种电路除了场效应管的类型不同，其他部分都相同。两种不同类型的场效应管