IGBT模块的驱动和保护技术.pdfVIP

41 No．4 (t气开关)C2003 文章编号：1004--289X{2003)04—0041—03 IGBT模块的驱动和保护技术 何凤有谭国俊胡雪峰李浩 (中国矿业大学信电学院，徐州221008) 摘要：木文介绍了IGBT驱动电路的设计原则及方法，分析了多种驱动模块的优缺点．并对IGBT的保护电路 进行j探讨。 关键词：IGBT；驱动电路；缓冲电路 中图分类号：TN773 文献标识码：B ofIGBTDriveProtectionCircuit Technology HE Hao Guo—j．n，HUXue～feng，LI Feng—you，TAN of and 221008，China) (ChinaUniversityMiningTechnology，Xuzhou thestatementsofstatesthe and ofIGBTdriveclr Abstract：Thisarticle approaches presemts designingprinciple and theIGBT of and ofkindsofdrivemodulesresearchesin etc cults，andalyslsadvantagesdisadvantages protection circuit circuit；subber Keywords：IGBT；drive 1引言 近年来，随着电力电子技术的飞速发展，IGBT在 以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中，得到 了广泛应用。IGBT的驱动和保护是整个装置运行的 关键环节。 IGBrr集双极型功率晶体管和功率MOSFET的 优点于一体，具有电压控制，输入阻抗大，驱动功率小， 控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高 等优点。 2驱动电路 图l 2．1设计驱动电路应考虑的问题 1)栅极正向驱动电压是一个重要的参数。图1表 明了栅源偏压UcE与1GBT导通电阻R。的关系。从 减小通态损耗的角度出发，应在栅极电压耐量容许的 范围内尽可能选高。但是过大的正向栅压将降低IG． BT的短路承受能力，对其安全不利。图2为栅压u。。 与短路电流，。和安全短路时间的关系曲线。因此，从 提高IGBT短路耐量的角度出发，uGE值以低为好，所 以该参数应综合考虑。 2)为了改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡， 图2 减小IGB，r集电极大的电压尖脉冲，一般在栅极串联 万方数据 4 (々气开关)(2003No 电阻R…一般选R。为十几欧到几百欧。 短路过流保护和智能电源监控等功能。与常用的