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NANDFlash的驱动程序设计,nandflash的擦除,nandflash,nandflashnorflash,nandflash驱动,jlink烧写nandflash,nandflashecc,nandflash和norflash,fatfsnandflash,nandflash启动
T EC HNOL O GY R EV IEW 技术纵横
NAND Fl a s h 的 驱 动 程 序 设 计
■成都市西南交通大学 谢韦华 谭永东 徐伟华
以三星公司 K9 F2808U OB 为例 ,设计了 NAND Fla sh 与 S3C24 10 的接 口电路 ,介绍了 N AND Fla sh 在
摘 要 A RM 嵌入式系统中的设计与实现方法 ,并在 UBoot 上进行了验证 。所设计的驱动易于移植 ,可简化嵌
入式系统开发 。
关键词 A RM UBoot NAND Fla sh K9 F2808U OB 驱动程序
命令执行完后设置状态用 ,剩余 5 12 字节又分为前半部分
引 言 和后半部分 。可 以通过 N AND Fla sh 命令 00h/ 0 1h/ 50h
当前各类嵌入式系统开发设计中,存储模块设计是不 分别对前半部 、后半部 、OOB 进行定位 ,通过 NAND Fla sh
可或缺的重要方面 。N OR 和 N AND 是 目前市场上两种 内置的指针指向各自的首地址 。
主要的非易失闪存技术 。N OR Fla sh 存储器的容量较小、 存储操作特点有 : 擦除操作的最小单位是块 ;N AND
写入速度较慢 ,但因其随机读取速度快 , 因此在嵌入式系 Fla sh 芯片每一位只能从 1 变为 0 ,而不能从 0 变为 1 ,所
统中,常用于程序代码的存储 。与 N OR 相 比,N AND 闪 (
以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除 擦除即
存的优点是容量大 ,但其速度较慢 , 因为它的 I/ O 端 口只 ) (
是将相应块的位全部变为 1 ; OOB 部分的第 6 字节 即
有 8 或 16 个 ,要完成地址和数据的传输就必须让这些信 )
5 17 字节 标志是否是坏块 ,值为 FF 时不是坏块 , 否则为
号轮流传送 。NAND 型 Fla sh 具有极高的单元密度 ,容量 坏块 。除 OOB 第 6 字节外 ,通常至少把 OOB 的前 3 字节
可以比较大 ,价格相对便宜 。 用来存放 N AND Fla sh 硬件 ECC 码 。
本文以三星公司的 K9 F2808U OB 芯片为例 ,介绍了 1. 2 NAND Fla sh 接口电路
N AND Fla sh 的接 口电路与驱动的设计方法 。文中介绍
首先介绍开发板的硬件设计 , 图 1 为 NAND Fla sh 接
了开发 N AND Fla sh 驱动基本原理 ,意在简化嵌入式系统
口电路 。其中开关 SW 的
开发过程 。
1 、2 连接时 R/ B 表示准备
好/ 忙 ,2 、3 连接时 nWA I T
1 NAND Fla sh 工作原
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