n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究.pdfVIP

第 58 卷 第 10 期 2009 年 10 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 10 ,October ,2009 10003290200958 ( 10) 718306 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 噪声非高斯性研究 李伟华1) 　庄奕琪1) 　杜 　磊2) 　包军林1) 1) ( 西安电子科技大学微电子学院 ,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,西安 　710071) 2) ( 西安电子科技大学技术物理学院 ,西安 　710071) (2009 年 5 月 1 日收到 ;2009 年 7 月 1 日收到修改稿) ( ) 　　基于 n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 nMOSFET 噪声的数涨落模型 ,采用高阶统计量双相干系数平方和 研究了nMOSFET 噪声的非高斯性. 通过对 nMOSFET 实际测试噪声的分析 ,发现 nMOSFET 器件噪声存在非高斯性 ; 小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件 ;在器件的强反型线性区 ,其非高斯性随着漏压的增加而增加. 文中还 通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对 nMOSFET 噪声的非高斯性作了深入的探讨. 关键词 : 噪声 , 非高斯性 , n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 , 氧化层陷阱 PACC : 7270 , 7340Q , 7220J 层陷阱对沟道载流子的随机俘获发射 ,多个陷阱产 ( ) 1 引 言 生的随机电报噪声 RTS 的叠加构成了nMOSFET 噪 声[ 1 ,5 ,6 ] . 早期的研究认为 nMOSFET 噪声是高斯分布 [ 1] [2 ] 电子器件低频噪声来源于载流子的随机起伏 , 的 ,但是 RTS 噪声是非高斯分布的 . 那么单个 是器件载流子输运微观动力学机制的宏观反映 , 因 RTS 噪声的非高斯性和 nMOSFET 噪声的高斯性有 此研究器件噪声是探索器件微观性质的重要手段. 着怎样的内在联系 ? 如果 nMOSFET 器件存在非高 但是以往对器件噪声的研究是通过功率谱分析来实 斯噪声 ,那么大尺寸器件的噪声和小尺寸器件的噪 [ 1] 声有何区别 ? 其非高斯性是否有强弱之分 ? 现的 ,这样做的前提是假设器件噪声为高斯分布 . 但是 ,器件噪声不全是高斯的 ,近年有研究者陆续在 对器件噪声非高斯性的判别和定量刻画不能采 ( ) [2 ] [3 ] 用传统的功率谱分析方法 , 因为功率谱分析采用的 异质结双极晶体管 HBT 、气体传感器 和金属 薄膜[4 ] 中发现了非高斯分布的噪声. 但对于基本的 是二阶统计量 ;高斯信号和非高斯信号不能通过功 电子器件 n 型金属氧化物半导体场效应 晶体管 率谱分析进行