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2004 年 5 月 汕头大学学报 ( 自然科学版) 第 19 卷 第 2 期
May 2004 Journal of Shantou University( Natural Science) Vol 19 No2
PECVD 低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析
余云鹏 , 林璇英 , 林舜辉 , 黄 锐
(汕头大学物理系 , 汕头 515063)
摘 要 : 采用 SiCl / H 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 , 在 300 ℃的玻璃衬底上低温
4 2
制备出多晶硅薄膜 , 沉积速率大于 3 / s , 晶化率达到60 %. 实验中发现氢稀释对膜的生长
及晶化起重要的促进作用 , 薄膜晶化率随射频功率增大呈不断下降的趋势. 通过与 SiH / H
4 2
沉积结果的对比 , 从基团成份、基团尺寸以及表面反应过程几个方面 , 对晶化硅薄膜低温
生长的机制进行初步的探讨.
关键词 : 薄膜 ; 晶化硅; PECVD ; 低温生长
( )
中图分类号: O4841 ;O4844 ;O4845 文献标识码 : A 文章编号 : 2004
0 引 言
晶化硅薄膜具有稳定的结构性能和较低的制作成本 , 是一种重要的光电材料 , 在薄
膜晶体管和薄膜太阳电池领域中被广泛应用. 为进一步降低生产成本和工艺要求 , 目前
人们已研究了多种能在廉价玻璃衬底上低温制备晶化硅薄膜的方法 , 如金属诱导法、热
( ) (
丝法、甚高频 或微波 PCVD 法 , 以及采用掺有卤素材料 SiF / H / SiH 、SiH Cl / H /
4 2 4 2 2 2
) ( ) [1～6 ]
SiH 的等离子体化学气相沉积 PECVD 技术 . 由于 PECVD 技术具有沉积温度低和
4
易于实现大面积均匀生长的特点 , 所以在诸多方法中 , 它是一条很有前景的技术途径.
在对这一工艺技术的研究中 , 已有文献报道硅烷的参与虽然能提高沉积速率, 但不适当
的硅烷比例将恶化结晶度[7 ] . 另外 , 我们考虑到反应气体的安全性和它对沉积系统的破
坏性 , 因此 , 我们采用相对更廉价和安全的不含硅烷的混合气体 SiCl / H 作为反应气
4 2
体 , 通过常规 PECVD 技术 , 在衬底温度仅为 300 ℃的条件下 , 以3 / s 以上速率获得晶
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