基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计.pdfVIP

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计 李亚明 刘智 张东亮 薛春来 李传波成 步 文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 摘要：本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导 以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上，有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1．18％，从 而使得器件工作在C（1528-～-1560rim）波段。模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz，消光比为8.8dB，而插损仅为2.7dB 关键词：锗硅调制器电光集成 Designofevanescent-coupledGeSielectro-absorptionmodulator basedonFranz-Keldysheffect Abstract:WepresentanovelGeSielectro-absorption(EA)modulatordesignonasilicon-oninsulatorplatform.TheGeSiEA modulatorisbasedontheFranz-Keldysh(FK)effect.Thelightisevanescent-coupledintotheGeSiabsorptionlayerfromtheribSi waveguide.1.18％ SicompositioninSiGeabsorptionlayerischosenforC(1528～1560nm)bandoperation.Simulationshowsahigh3 dBbandwidthof～64GHzandextinctionratio(ER)of8.8dB.Especiallytheinsertionloss(IL)isaslowas2.7dB Keyword:GeSimodulatorelectro-opticalintegration 第十七一仝■化古物半导体、饿波-件和光电l件掌术鲁议 认为直接和有效。首先上述计算所得的硅组 1．62～1．641am范围内光的吸收系数有明显变 分很低，锗硅的热膨胀系数基本不发生变化。 化，Aa／o,2191。其中仅是光在OkV／cm时的吸 收系数，Aa是光的吸收系数变化。为了使锗这意味着基于实验测试结果的线性插入也包 含了由于衬底硅和外延锗之间由于热膨胀系 的吸收系数变化明显的1．62-1．641Jm波段移 至C波段，需要增加锗的直接带隙。由于锗硅 数差导致的张应变。另外FK效应涉及的主要 都是四族材料，能进行任何组分的组合且硅 是锗带边能量的变化而不是Ge直接带隙的绝 的直接带隙大于锗，因此可通过在锗中引入 对值。所以这应该比文献中的计算更为准确 一定量的硅，即用锗硅代替锗作为有源层。 I】01 3结构设计和模拟结果 器件有源区采用p-i．n结构，电场方向垂 直于衬底。图2(a)和(b)分别是器件俯视 一．譬-：lu．奄E．口u 图和剖面结构示意图。整个器件结构是基于 耄◆ S01晶片。SOl晶片的顶层硅厚度为0．22IIrn， co一置-口蚺量t 埋氧层厚为21am。光由脊形单模波导进入多 模区，最后聚焦耦合输出到脊形单模波导。 脊形单模波导的刻蚀深度为IOOnm，脊宽为 400nm，经计算，脊形波导满足单模工作条 件。调制区位于多模区中间，宽度与多模区 ．∈u．，-3u芎u