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基于SU-8材料的无源-有源集成式电光波导设计与制备 王希斌 孙 健岳远斌 陈长鸣 郭文滨张 大 明 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林省光通信用聚合物波导器件工程实验室， 吉林大学电子科学与工程学院，长春 130012 摘要：本文对基于SU-8紫外负性光刻胶的无源-有源集成式电光波导进行了系统的研究。首先用物 理掺杂的方法制备出价格低廉、性能良好的主客掺杂型电光聚合物DR1/SU-8，反射法测量其电光 系数约为11.5pm/V@1310nm。为减小器件的插入损耗，我们设计并制备了有源芯层为DR1/SU-8， 无源芯层为SU-8的倒脊形混合集成式波导结构。测试得到器件的插入损耗为13.8dB，相比于纯 DR1/SU-8作为芯层的波导结构插损减小了约2.8dB。 关键词：SU-8;插入损耗；电光波导 第八届全国塑料光纤、聚合物光子学会议论文集 MEMS和微流控领域有着广泛的应用。另外，它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性， 以及较强的自平整能力，在单模和多模的聚合物光波导器件制备中也取得了一定的结果【4】o 目前，极化聚合物电光材料从材料体系可以分为：主客掺杂型、侧链及主链型。相对于侧链及 主链型电光聚合物而言，主客掺杂型电光聚合物具有合成工艺简单、价格低廉等优点，进而得到广 大科研工作者的青睐。我们选用的就是主客掺杂型电光聚合物，将有机生色团分子DRl以物理掺杂 的方法直接掺入到主体材料SU．82005与稀释液的混合液中，形成主客掺杂型电光聚合物 DRl／SU一8。DRl、SU一8 旋涂在ITO玻璃衬底上，电晕极化后，利用反射法测得该电光材料的电光系数约为11．5pm／V。 3波导结构设计与模拟 我们选用甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸环氧丙脂共聚物P(MMA—OMA)作为波导的上下包层， 2005 折射率为1．483611550nm：芯层材料选择商业上可获得的紫外负性光刻胶SU一8 是我们所设计的无源．有源集成式电光波导的结构示意图。 图1无源-有源集成式光开关的结构示意图 在波导的输入、输出无源区我们选用吸收损耗相对较低的纯SU一8材料，而只在波导中间的有 源区选择电光材料DRl／SU一8，这样整个器件的插入损耗就会因吸收损耗的降低而得到改善。我们 选用倒脊形波导作为器件的波导结构，因为在保证单模传输的情况下，相比于矩形波导，倒脊形波 导的端面会有一个相对较大的模场面积，进而可以减小器件与光纤的耦合损耗。图2(a)和(b) 是器件无源波导区的截面图和对应的二维光场模拟， (c)和(d)是器件有源区的截面图和对应的 二维光场模拟。从模拟结果可以看出，光场被很好地限制在波导芯层中，并且从光场分布可以看出 光在无源区和有源区没有明显的畸变，从而保证光在无源一有源．无源区的有效过渡与传输。 第八届全国塑料光纤、聚合物光子学会议论文集 中国·成都2012年10月31日一11月5日 睁■圆●嘲镳蓠誊翟雾擎I ””耐+ Substrat ||。sl。_ 图2(a)无源波导区的截面图；(b)无源波导区的二维光场模拟； (c)有源波导区的截面图：(d)有源波导区的二维光场模拟 4器件制备与测试 器件的的衬底选用Si材料，波导介质层全部采用有机聚合物材料，波导结构选择传统的M—z 的薄膜。然后在下包层表面蒸镀一层厚度为50～80nm的铝膜，旋涂BP212光刻胶，最后经过光刻、 显影、刻蚀等半导体工艺后得到犁m深的凹槽。下面进行集成式芯层波导的制备：首先在制备好的 P(MMA—GMA)凹槽中旋涂一层SU一8 进行中烘，冷却至室温后，放入PGMEA显影液中进行显影并用异丙醇和去离子水冲洗干净，从而 制备了无源波导芯层，而在中间的有源调制区再一次获得凹槽形状；接下来再在上面旋涂一层电光 材料DRl／SU．8，便制备了有源波导芯层；为了去除在无源芯层SU．8上面的电光材料，我们同样利 用蒸镀、光刻、显影、刻蚀等半导体工艺把SU一8上面的电光材料DRl／SU一8刻蚀掉，然后旋涂 源