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蒸镀车间学习总结 廖娜2012.2.13 真空蒸镀 在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。 蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。蒸发镀膜设备结构如下图。 蒸发镀膜加热源的类型 本公司就是用电子束加热，它的蒸发源是e型电子枪（也有直射式或环形，但以电子轨迹磁偏转270°而形成的e型枪应用最广），膜料放入水冷铜坩埚中，电子束自源发出，用磁场线圈使电子束聚焦和偏转，对膜料进行轰击和加热，如下图。 影响ITO导电性的因素 溅射镀膜 用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。常用的二极溅射设备如左图。 离子镀 蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。一种离子镀系统如右图。 氧清洗设备PECVD 氧清洗时通入的主要气体是O2和CF4， O2主要是用来清洗片子上的残胶，腔体里的等离子体把O2离化，使其易于跟残胶（主要是有机物成分）发生化学反应生成易于排出的气体（CO，CO2或水汽等），从而把片子上的残胶清洗干净， CF4主要是通过轰击管壁和腔体，使管壁和腔体上附着的污染物去除，这个过程一般是物理反应。 氧清洗中需要控制的参数 氧气流量：流量大，形成的离化分子较多，容易把胶去干净 真空度：真空度大，氧气离化密度大，对去胶有利 功率：功率大的话等离子体速度较大，使氧的离化分子轰击基片的力量大，容易把胶去除干净，但是也可能会对片子造成损伤 温度：温度影响化学反应的反应进度，所以合适的温度会对去胶有所帮助 清洗时间：时间长的话清洗比较干净 （以上均是自己的理解，若有不对的地方请指出） 高温热处理炉 主要作用： （1） 500℃或550 ℃对镀过ITO的片子进行热处理，以得到更好结晶效果的ITO，使ITO电阻率更低，透过率更高。 （2） 300 ℃对镀过铬和金的片子进行合金化处理，以得到更好效果的欧姆接触的电极，并使wafer各层间有更好的融合性。 蒸镀车间用到的主要测试仪器 四探针测电阻率（一般面电阻R□控制在40Ω / □以下即可） 穿透仪测膜厚和透过率（现在做的片子厚度一般在2500?左右， 透过率一般要大于90%） 金相显微镜 谢谢，请多指教！ * * 蒸发镀膜 溅射镀膜 离子镀膜 真空镀膜 用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质 用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料 适用于蒸发温度较高的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。 电阻加热源 高频感应加热源 电子束加热源 蒸发镀膜 电子束蒸发后可直接撞击在薄膜底料上使之蒸发，但是蒸发的原子或分子会污染电子源，因此一般将电子源装在装薄膜源料的鎗座底下，利用强力磁场将电子束偏转180 °或270 °。 面电阻R□ 电阻率ρ 膜厚d 沉积时间 沉积速率 载流子浓度n 载流子迁移率τ 氧含量 锡含量 结晶状态 晶体结构 缺陷密度 溅射电压 沉积温度 成膜条件 R□=ρ/ d ρ=m*/ne2τ 蒸发源到基片的位置 简单的PECVD示意图如右 * *