高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响.pdfVIP

高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响.pdf

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高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响.pdf

李晓等。高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响 1603 高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响’ 李晓,孙跃,赫晓东’ (哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,黑龙江哈尔滨150001) 摘要: 对电子束物理气相沉积高硅硅钢片进行了 高蕊快速退火处理。用SEM,EDS,XRD对制备态硅 钢片和热赴理态组织,成分,物相进行了表征,并测试 了其电阻率和磁滞回线。结果表面:高温快速退火使 高硅硅钢片硅成分变均匀,靠近基板侧的相由F‰si 变成D03’硅钢片中孔长太,电阻率从90pn·m增大 到160“n·m,矫顽力减小,磁感应强度减小。 关键词:高温快速退火;高硅硅钢片;电子束物理气 图1 高温快速遇火热处理工艺 相沉积 1High themal Fig temperaturerapid anne8ling 中圈分类号:TGl56 文献标识码:A 3实验结果与讨论 文章编号:1001—9731(2007110—1603一02 3.1成份和组织 1引言 图2是制备态和退火态硅钢片截面成分分布图。 高硅硅钢片,特别是硅含量为6.5%(质量分数) 图2中,。I”代表靠近基板侧,“Ⅱ”代表背离基板侧。 的硅钢片具有优异的软磁性能o。】,如中高频铁损低, 从图2(a)可知,制备态硅钢片中,硅成分成震荡性分 磁导率高,矫顽力低,磁滞伸缩小。它是制作低噪音、 布;背离基板侧硅含量低于靠近基板侧硅含量。实际 低铁损变压器、电抗器的理想铁芯材料Ⅱ“1l但此材料 制备过程中,由于内部气压瞬间过高,设备因保护而自 韧性差,很难制备出大尺寸薄板脚。电子柬物理气相 动断电,气压降低,设备又恢复工作}在设备恢复工作 沉积是一种新的技术.它能制备厚度从零点几毫米到 时,电子束流的大小从小变大,硅蒸发速度逐渐达到稳 几毫米的大尺寸薄板,是一种潜在的制备高硅硅钢片 定。因而整个界面中硅的成分成震荡性分布。实际蒸 工艺…。目前。我们用电子柬物理气相沉积工艺制备 镀过程中,为了使制备的高硅硅钢片能剥下来,在蒸发 出了厚度o.15mm高硅硅钢片,但发现制备的材料存后期减小蒸发硅的电子枪束流大小,因而背离基板侧 在着成分不均匀,含有应力等问题{高温快速退火热处 硅含量低一些。从图2(b)可以看出,退火态硅钢片截 理工艺具有能使材料成分均匀、去除应力和保持晶粒 面中,硅分布总体上是均匀的。这说明在1200℃下, 尺寸变化不大的特点,因而本文研究高温快速退火对 保温5min能使薄板中的硅扩散均匀。 制备态的高硅硅钢片对组织结构、性能的影响。 2实验 图2截面成分分布 Pc9A对试样进行了电阻率测试,其试样尺寸为40mm x5mm×o。22tnlIl。测3敬取平均值l用vsMLH一3对 ?竺2o‘?ss8:。n017i?竺9”m““jst“bun” 萎嚣燃裴熙慧墨銎耋嬲:可以昙主嘉鬈翥黧瓣裟嬲蹴 ?懿群臆削吣撼烟弑黻勤4·7罩筹趸;舅墨赫写磊暴黼名燃善 ·基金项目:新世纪优秀人才支撑计划资助项目(NcET2004) 收耐初稿日期:2007-03—29 收刮修改稿日期:2007_07.17 通讯作者:赫晓东 作者简介:李晓(198l一),男,浙江东阳人,在读博士,师承赫晓东教授,从事磁性材料研究. 万方数据万方数据 万方数据万方数据 昧诗等t弱t离子交换纤维的结构表征与性柏研究

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