氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究.pdf

第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 20 4 Vol. 20* No.4 年 月 2001 8 J. Infrared Millim. Waves August*2001 氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究% 周 进1*2) 茹国平1*2) 李炳宗1*2) 梁平治2) (1) 复旦大学电子工程系 上海* *200433; 2) 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海* *200083) 摘要 报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法 采用离子束溅射. 2 5 粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合 V 0 的薄膜技术*可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜 x ( 2.5).对不同温度退火后氧化钒薄膜在 10~100C范 V0 x 围内测定了薄层电阻随温度的变化 得到的电阻温度系数 值为 -1 研究结果表明通过这种方 * ( ) (-1~-4)% . TCR K 法可在较低温度下制备氧化钒薄膜 这种薄膜具有较低的电阻率和较高的* TCR 值 可作为非致冷红外微测辐射热* 计的热敏材料. 关键词 氧化钒 非致冷红外微测辐射热计 离子束溅射 电阻温度系数 氮氢退火* * * * . PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF THERMALLY SENSITIVE VANADIUM O IDE FILMS% 1*2) 1*2) 1*2) 2) Z~0U Jin RU Guo Ping- LI bing Zong- LIANG Ping Zhi- (1) Department of electronic engineering Fudan University Shanghai* * 200433* China; 2) Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences Shanghai* * 200083* China) . x ( 2.5) Abstract A new method of preparation of vanadium oxide films was reported A thin V0 x film with good 2 5 thermal sensitivity was prepared by ion beam sputtering of a V 0 powder target and with a