流延法制备ZnO-V2O5-Sb2O3基压敏电阻.pdfVIP

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2015-09-17 发布于湖北
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流延法制备ZnO-V2O5-Sb2O3基压敏电阻.pdf

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流延法制备ZnO-V2O5-Sb2O3基压敏电阻.pdf

第33卷第2期压电与声光 VoI．33No．2 PIEZOEI，ECTRICSAC()UST()()PTICS 2011年4月 Appl．2011 文章编号：1004—2474(201I)02—0264一04 05-Sbz 流延法制备ZnO-V203基压敏电阻赵鸣1，田长生2 (1．内蒙古科技大学材料与冶金学院，内蒙古包头010410；2．西北工业大学材料学院，陕西西安710072) 05一摘要：通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-Vz Sb203(ZnVSb)基压敏电阻的影响。在流延基础上，通过加压排胶和烧结可制得无翘曲、显微组织均匀且致密的样品。900℃、4h烧结1mm厚样品性能最佳：非线性系数及压敏电压分别为45V／ram和600V／ram。样品的非线性系数随厚度的减少而降低。关键词：流延；ZnO；压敏电阻；制备工艺；厚度中图分类号：TN379 文献标识码：A Fabricationof BasedVaristorCeramicsFabricated 03 ZnoV205-Sb2 by Method Tape-casting ZHAO Min91，TIANChangshen92 (LSchoolof Scienceand ofScienceand 010410，China； Materials＆MetallurgyTechnology。InnerMongoliaUniversity Technology．Baotou 2．SchoolofMaterialsScienceand 710072，China) Technology，NorthwesternPolyteehniqueUniversity，Xi’an on ZnO- Abstract：Theinfluencesoffabricationand thicknessthe layer processsample square-shapedsingle varistors the werestudiedthemicrostructure V2os—Sb203(ZnVSb)based preparedby tape-castingapproach using observationand onthe camber-freewith electrical tests．Based homogeneous property tape-casting，thesamples microsturctureand