流延法制备纳米SiO2压电陶瓷的结构及性能.pdfVIP

第 卷第 期 压 电 与 声 光 ３ ６ ５ Ｖｏｌ．３ ６ Ｎｏ．５ 　 　 　 　 年 月 ２０ １ ４ １ ０ ＰＩＥＺＯＥＬＥＣＴＲＩＣＳ ＆ ＡＣＯＵＳＴＯＯＰＴＩＣＳ Ｏｃｔ．２０ １ ４ 文章编号： （ ） １ ００４２４７４ ２０ １ ４ ０５０７ ７ ５０４ 　　 流延法制备纳米ＳｉＯ２ 压电陶瓷的结构及性能 卓 磊，陈文革，张 洋，辛 菲，赵珊珊 　 　 　 （西安理工大学材料科学与工程学院，陕西西安 ７ １ ００４８） 摘 要：采用流延法使用无定型纳米 原料粉制备 压电陶瓷， 和 结果表明，烧结温度为 ＳｉＯ ＳｉＯ ＸＲＤ ＳＥＭ 　　 　 ２ ２ 和 时未发生晶化反应，当烧结温度为 时生成 方石英，晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大， ８５０ ℃ ９ ５０ ℃ １ ０５０ ℃  α 不同烧结温度下压电常数分别为 ／ ， ／ 和 ／ ，烧结温度越高介电常数越大，机械品质因数越 １ ．１ ｐＣ Ｎ １ ．２ ｐＣ Ｎ １ ．４ ｐＣ Ｎ 大，而介电损耗与烧结温度无关。 关键词：氧化硅；压电陶瓷；纳米粉；流延成型；低温烧结 中图分类号： 文献标识码： ＴＭ２２ Ａ 　　　 Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｎａｎｏｃｅｒａｍｉｃ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ＴａｐｅＣａｓｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ ， ， ， ， ＺＨＵＯ Ｌｅｉ ＣＨＥＮ Ｗｅｎ ｅ ＺＨＡＮＧ Ｙａｎ ＸＩＮ Ｆｅｉ ＺＨＡＯ Ｓｈａｎｓｈａｎ ｇ ｇ （ ， ’ ， ’ ， ） Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｘｉ ａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｘｉ ａｎ ７ １ ００４８ Ｃｈｉｎａ ： ，