离子辅助制备碳化硅改性薄膜.pdfVIP

第16卷第3期 光学精密工程 VoI．16NO．3 and Precision 2008年3其 Optics Engineering Maf．2008 文章编号1004—924X(2008)03—0381…05 离子辅助制备碳化硅改性薄膜 镝1 陈 红1’2，高劲松1，宋琦1，王彤彤1’2，申振峰1’2，王笑夷1，郑宣呜1，范 (1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033； 2．中藩科学院研究燕院，北京100039) 摘要：介绍了～种利用霍尔型离子源辅助电子柬蒸发，在反戚烧结碳化硅RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法，研究 了不丽沅袄速率下薄膜改往后的撵毙效栗。辩榉麓透嚣了表褥教麓及及鸯重懿溅量。遴过群瑟豹簸赣照冀霉溜，建貘瀑 程沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后，表面散射系数减小 划1．46％，反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明；戳膜无龟裂朔脱落，性质稳定，与碳 诧疆基底络会嶷努。 关键词：反应烧结碳化硅；表面改性；离子辅助沉积；霍尔源；表面散射系数 文献标识码：A 巾图分类号：0484．1；TN304．2 on substrateionbeamassisted Simodified SiC coating by deposition CHEN Qil，WANG Hon91·2，GAOJin-son91，SONGTong-ton94’2， SHEN Dil Xiao-yil，ZHENGXuan—min91，FAN Zhen-fen91”，WANG andResearch Institute Mechanicsand Technology Center，ChangchunofOptics，Fine (1．Optical GraduateSchoolthe 130033，China；2 Physics．ChineseAcademyofSciences，Changchun of Chinese 100039，China) AcademyofSciences，Beijing on wasintroduced IonBeamAssisted basedend-Hallsource Abstract：An Deposition(IBAD)method Silicon sur— tOfabricateaSi onReactionBonded Carbide(R》Sic)substrate。