立体光刻技术制备三维光子晶体.pdfVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Sep．，2007 立体光刻技术制备三维光子晶体* 文 景1 尹海清2 张瑞娟1 曹文斌1’’ (1北京科技大学材料科学与工程学院无机非金属材料系，北京100083) (2北京科技大学材料科学与工程学院粉末冶金研究所，北京100083) 摘要：以三维金刚石结构光子晶体为例，采用立体光刻技术(SLA)进行三维光子晶体的制备研究．微波透射谱测 试表明，所制备的光子晶体的禁带分布在12．3～13．4GHz之间，与理论计算值一致，表明立体光刻技术可用于复 杂三维光子晶体结构的制备研究． 关键词：立体光刻技术；光子晶体}光子禁带；CAD PACC：4270E；4270Q 中图分类号：TN305．7文献标识码：A 文章编号：0253．4177{2007)SO一0357—03 化等，基本原理是借助CAD技术对所需制备的模 1 引言 型进行三维实体模型造型，再采用切片软件对实体 模型按需要分层切割，得到二维片层平面信息，生成 光子晶体的概念是1987年由YablonovitchEll 扫描路径，以此驱动激光束按照每一层切片的轮廓 和JohnE21在研究抑制自发辐射和光子局域时各自 使盛于容器内的液态光敏聚合物逐层固化．待第一 提出的．光子晶体(photoniccrystal，PC)是一种折 层光敏聚合物固化后，平台沿垂直方向下降一个层 射率(或介电常数)呈现周期性变化、具有光子禁带 片距离，新的一层液态聚合物又覆盖在已固化层面 的人造结构．光子禁带类似于半导体的电子能带．影 上，再进行第二层固化，如此反复逐渐堆积成三维实 响光子禁带的因素很多．一般来说，组成光子晶体材 体，其技术设备及工作原理如图1所示．立体光刻技 料的介电常数反差越大(一般要求大于2)，得到光 术工艺稳定，制备效率高，精度可高达0．2％，其中 子带隙的可能性就越大．光子禁带的出现和调节主 要取决于晶格类型、组成材料的介电常数等．相比其 方向精度为0．005mm，并且精度不受结构复杂度限 他具有相同参数的三维光子晶体结构，金刚石结构 制[5]，故可用来制备复杂的三维光子晶体． 三维光子晶体具有较大的禁带宽度． 自然界中存在光子晶体，比如蝴蝶翅膀和蛋白 石等，但是大多数光子晶体需要人工制备．光子晶体 按照介质周期排布方式可分为一维光子晶体、二维 光子晶体和三维光子晶体．通常将在一个方向上具 有光子带隙的材料称为一维光子晶体，这种光子晶 体在结构上最为简单、易于制备，目前在光纤和半导 体激光器中已得到应用[3]．但迄今为止，仍没有成熟 的可用于三维光子晶体的制备方法，因此其制备方 法的研究自然也成为了光子晶体研究领域的热点． 本文采用立体光刻技术进行三维金刚石结构光子晶 体的制备研究． 2立体光刻技术制备三维光子晶体