第2章_pn结.pptVIP

* * 0 5 10 15 20 25 30 108 107 106 105 104 103 102 101 100 10-1 理想反向 实际反向 实际正向 理想正向 a b c d 实际PN结V-I特性 与理想状态下V-I 特性有偏差 * 2.4 空间电荷区的复合和产生电流 P N a ｝ ｝ Jn Jp JRG 势垒区复合电流：指来自N区的电子和来自P区的空穴 在势垒区中复合而形成的电流。 * 2.4.1 PN结空间电荷区的复合电流 P N ｝ ｝ Jn Jp JRG 正偏时，通过PN结的总电流为电子电流、空穴电流、 势垒区复合电流之和： 空间电荷区中最大的复合率为 空 间 电 荷区的 复合电流密度为 在工作电流较小（即正向偏置电压较低时）空间电荷复合区的电流作用不能忽略。随着正向电压的增减，扩散电流比例增大 锗，正向导通电压较小，一般情况下，复合电流可以忽略； 硅，正向电压大于0.5V时，复合电流也可忽略。 * 2.4.2 PN结空间电荷区中的产生电流 P N ☆ |VR| ↗ ? 势 垒 区 宽 度 ？ ? 势垒区产生电流 ？ ? 反向电流不饱和 增大 增大 c * 设P型和N型侧的耗尽层宽度分别为xp和xn,整个空间电荷层宽度表示为W=x n +x p 耗尽层宽度与扩散电势差有关，具体的计算分情况讨论（了解） 空间电荷区的自建电场强度是非均匀电场，电场强度是x的函数 对于P+N突变结 * 2.2 加偏压的PN结 2.2.1 PN结的单向导电性 2.2.2 少数载流子的注入与输运 * 非平衡PN结 处于一定偏置状态下的PN结称为非平衡PN结 当PN结两端加正向偏压VF，即P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为正向PN结。 P N － ＋ － ＋ － ＋ 正向PN结 ＋ － P N －－ ＋＋ －－ ＋＋ －－ ＋＋ 反向PN结 － ＋ 反之，当PN结两端加反 向偏压VR则称反向PN结。 2.2.1 PN结的单向导电性 * 正向电压VF 外加电场与内建电场方向相反 ? 空间电荷区中的电场减弱 势垒区宽度变窄 势垒高度变低 qVD ↓ q(VD－VF) ? 破坏扩散与漂移运动间的平衡 扩散运动 强于 漂移运动 ? 形成较大的电流， 正向偏压给PN结形成了低阻的电流通路 * 正向偏压PN结中费密能级的变化 图中的电子准费米能级如何随位置变化的？ * PN结的反向特性 反向PN结 P区接负，N区接正 外加电场与内建电场方向相同 ?空间电荷区中的电场增强 反向电压使： 　势垒区宽度变宽 　　 势垒高度变高 　　　　qVD↑q(VD+VR) ?破坏扩散漂移运动平衡 　　漂移运动 强于 扩散运动 ?通过PN结的电流很小 * P区 N区 jp jn Ln Lp 为什么PN结具有正向导通反向截止的特性 PN结在正向电压下电流 很大，在反向电压下电流很小，这说明PN结具有单 向导电性，可作为二极管使用。 P区 N区 + * PN结的反偏向时的费米能级的变化 2.2.2少数载流子的注入与输运 正向电压VF 正向注入--少子注入 非平衡载流子的电注入： 由于外加正向偏压的作用 使非平衡载流子进入半导 体的过程。 * 正向注入的过程（扩散近似） N区注入P区电子→势垒边界 xp积累→P区的非平衡少子→浓度梯度→P区扩散→边扩散边复合→形成空穴扩散电流。 P区注入N区空穴→势垒边界 xn积累→N区的非平衡少子→ 浓度梯度→N区扩散→边扩散边复合→形成电子扩散电流。 扩散电流的大小可以根据连续性方程求出， 2、空间电荷区边界的少数载流子浓度 单边注入：例如P+N 主要是P区注入到N区的空穴为主要的过剩载流子，这种现象称为单边注入 空间电荷区的边缘的少数载流子浓度值 与偏压成e的指数关系 与热平衡时少数载流子浓度值成正比， 与杂质浓度成反比。 载流子的反响抽取 当PN结加上反响偏压时，非平衡时的少数载流子浓度小于平衡时的少数载流子浓度，这种现象称为载流子的反向抽取 * 思 考 题 * * * * 反向特性 P N －－ ＋＋ －－ ＋＋ －－ ＋＋ － ＋ 正向注入使边界少子浓度增加，形成少子的积累过剩，载流子浓度为正值； 正向特性 P N － ＋ － ＋ － ＋ ＋ － 反向抽取使边界少子浓度减少，形成少子