第六章 MOSFET 及相关器件exercises.docVIP

习题 6.1 MOS二极管 1. 试画出VG＝VT时，n衬底的理想MOS二权管的能带图． 2．试画出VG＝0时，p衬底的n+多晶硅栅极MOS二极管的能带图． 3．试画出p衬底于平带条件下，n+多晶硅栅极MOS二极管的能带图． 4．请画出于反型时，n衬底的理想MOS二权管的(a)电荷分布、(b)电场分布以及(c)电势分布． 5．一NA＝5×1016 cm-3的金属-SiO2-Si电容器，请计算表面耗尽区的最大宽度． 6．一NA＝5×1016cm-3以及d＝8nm的金属-SiO2-Si电容器，请计算C-V图中最小的电容值. *7．一理想-SiO2-Si MOS二极管的d＝5nm，NA＝1017cm-3，试找出使硅表面变为本征硅所需的外如偏压以及在界面处的电场强度． 8．一理想-SiO2-Si MOS的d＝10nm，NA＝5×1016 cm-3，试找出使界面强反型所需的 外加偏压以及在界面处的电场强度． *9．假设氧化层中的氧化层陷阱电荷Qot有均匀的单位体积电荷密度体ρot（y）＝q×1017 cm-3，其中y为电荷所在的位置与金属-氧化层界面间的距离，氧化层的厚度为10nm，试计算因Qot所造成的平带电压的变化． 10．