e5对气相渗硅CfSiC复合材料力学性能的影响.pdfVIP

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2015-09-18 发布于重庆
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e5对气相渗硅CfSiC复合材料力学性能的影响.pdf

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e5对气相渗硅CfSiC复合材料力学性能的影响.pdf

第22卷第6期无机材料学报 V0122．No．6 2007年11月。Journalof Materials Nov．，2007 Inorganic 文章编号：1000—324X(2007)06-1142—05 界面涂层对气相渗硅Cf／SiC复合材料力学性能的影响周清1,2，董绍明1，丁玉生1,2，张翔宇1，王震1，，黄政仁1，江东亮1 (1，中国科学院上海硅酸盐研究所，上海2000502．中国科学院研究生院，北京100049) Silicon 摘要，在16500C气相渗硅(Vapor Cf／sic弯曲强度大幅下降，约为674MPa无界面涂层保护时，气相渗硅过程中纤维与硅蒸气发牛反应，使得纤维硅化，造成材料性能下降，纤维表面沉积的C／SiC涂层，不仅保护纤维．避免被硅侵蚀，而且具有弱化界面、偏转裂纹等作用，复合材料的断裂功得到硅著提高．将气相渗硅温度提高到1700。C后，有界面涂层存在情况下CUSiC复合材料密度显著提高，达到2259／cm3，强度基本与1650。C时相当．关键词：Cf／SiC；气相渗硅；界面中圉分类号：TB332文献标识码：A Effectof onMechanical of Interphase Properties Cf／SiCComposites FabricatedSilicon byVapor Infiltration ZHOU Qin91一，DONGShao-Min91，DINGYu—Shcn91一、ZHANGXiang-Yul WANG Zhenl一，HUANG Zheng-Renl，JIANGDong—Lian91 Instituteof of Ceramics，Chinese Graduate (1．Shanghm Academy 200050，China；2 Sciences，Shanghai oftheChinese of University AcademySciences，Bering100049，China) Abstract：3Dcarbonfiberreinforcedsiliconcarbidematrix fabricated composites(CUSiC)wereby silicon 16500C．Densitiesofthe withorwithout vapor infiltration(VSI)at composites interphase C／SiC areabout ofthe characterization 1．859／em3．The compositesw∞investigated．when