GaAsAlxGa1-xAs量子阱红外探测器微结构研究.pdfVIP

第25卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，NO．6 2013年6月 HIGHPOWERLASERANDPARTICI。EBEAMS JLIE．，2013 文章编号： 1001—4322(2013)06—1405—04 GaAs／AIxGal—xAs量子阱红外探测器微结构研究。 胡小英|’2， 刘卫国1‘2 (1．两安电子科技大学微电子学院．西安710071；2．西安T业大学光电I：程学院，西安710032) 摘 要： 采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs／AI，Ga。As量子阱材料。利 用傅里叶光谱仪分别对势垒中AI组分为0．20，0．30的1#，2秆样品进行77K液氮温度下光谱响应测试。结 果显示：l=，2：峰值响应波长为8．38，7．59 ffm，而根据薛定谔方程得到峰值波长为9．694，8．134p．m，二者误 差分别为13．6％，6．68％。针对误差过大及吸收峰向高能方向发生漂移的现象，利用高分辨透射扫描电镜对 样