Zn掺杂Z形GaN纳米线的制备及表征.pdfVIP

第4l卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v。1．41No．1 ： 垫!!堡!旦： 一：：：：一：：=：=：!皇些垦些些：竺：量兰些望篁里坠堡堡垒坚：：：：：：：：：：：：璧!些至：垫!兰 Zn掺杂Z形GaN纳米线的制备及表征 梁 建1”，王晓宁1，一，张 华1”，刘海瑞1’2，王晓斌1’2，许并社1’2 (1．太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原030024；2．太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024) 光致发光谱(PL)等测试方法对样品的形貌、晶体结构及光学性质进行r表征。结果表明：在温度为950℃，氧化镓 和氧化锌的质量比为8：1的条件下，制备出的zn掺杂z形GaN单晶纳米线直径为70nnl、长度为数十个微米，生长 机理遵循VLS机制。zn元素的掺杂使GaN纳米线在420Rill处出现了光致发光峰，发光性能有所改善。 关键词：氮化镓；纳米线；Zn掺杂；化学气相沉积；发光性能 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A andCharacterizationof GaN Nan