Zn靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnOAl薄膜及其性能.pdfVIP

第22卷第4期 中国有色金属学报 2012年4月 兰!：丝型坐 119-07 文章编号：1004-0609(2012)04-1 赵联波，刘芳洋，邹忠，张治安，欧阳紫靛，赖延清，李劫，刘业翔 (中南大学冶金科学与工程学院，长沙410083) 透明导电薄膜，研究zn靶溅射功率(O-00、Ⅳ)和衬底温度(室温、100℃和200℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学 性能的影响。结果表明：按双靶共溅射工艺制备的ZnO：AI薄膜的晶体结构均为六角纤锌矿结构，且随着zn靶溅 射功率的增加，薄膜的结晶质量呈现出先改善后变差的规律。薄膜中的载流子浓度逐渐升高，电阻率逐渐降低， 而薄膜的光学性能受其影响不大：随着衬底温度的升高，薄膜的结晶性能得到改善，薄膜的可见光透过率增强， 电阻率降低． 关键词：ZnO：AI薄膜；磁控溅射：zn靶功率；衬底温度：光电性能 中图分类号；O782 文献标志码：A ofZnO：AIthinfilms