ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响.pdf

年第 卷 化 学 学报 ， 2004 62 Voi. 62 2004 第1 期，10 ~ 15 ACTA CHIMICA SINICA No. 1，10 ~ 15 类分子导体 轨道对晶体能带及导电性的影响 ET 3d ，， 刘国群a 雷 虹6 方 奇! a c a 6 c （山东大学晶体材料国家重点实验室 信息科学与工程学院 化学与化工学院 济南250100） 摘要 采用扩展休克尔 紧束缚方法（ ）研究了 类分子导体［ （ ） ］的能带 讨论 - EHTB ET ET = bis- ethyienedithio -tetrathiafuivaiene . 了硫原子 轨道对能带结构的影响，添加 轨道导致 分子柱间的横向作用大为增强，并与纵向作用处于同一数量级， 3d 3d ET 这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 计算得到（ ） · ，（ ） · 两个晶体的带隙分别为 . ET C H SO H O ET HgCi TCE 2 3 5 3 2 2 3 ， ，与实验得到的导电激活能 ， 符合较好 0.579 0.572 eV 0.319 0.308 eV . 关键词 能带结构， 类分子导体，导电性 ET Influence of 3d Orbital on the Energy Band and Electrical Conductivity in ET-type Molecular Conductor ，， a 6 ! a c ， ， ， LIU Guo-Oun LEI Hong FA