Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度铁电薄膜的制备、结构及电性能表征.pdf

第24 卷第4 期 红 外 与 毫 米 波 学报 VoI. 24 ，No. 4 2005 年8 月 J. Infrared MiIIim. Waves August ，2005 文章编号：1001 - 9014 （2005 ）04 - 0250 - 05 Pb（Zrx ，Ti1-x ）O3 成分梯度铁电薄膜的 制备、结构及电性能表征 1 2 李建康 ， 姚 熹 （1. 苏州科技学院 电子与信息工程系，江苏 苏州 215011； 2 . 西安交通大学 电子材料研究所，陕西 西安 7 10049 ） 摘要：采用SoI-GeI 方法，通过快速热处理，在Pt/ Ti/ Si0 / Si 衬底上制备出Pb（Zr ，Ti ）0 成分梯度薄膜. 经俄歇微 2 X 1-X 3 探针能谱仪（AES ）对制备的“上梯度”薄膜进行了成分深度分析，结果证实其成分梯度的存在. 经XRD 分析表明， 制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构，但其晶面存在一定的结构畸变. 经介电频谱测试表明，梯度薄 膜的介电常数比每个单元的介电常数都大，但介电损耗相近. 在10 k~z 时，上、下梯度薄膜的介电常数分别为206 和219 . 经不同偏压下电滞回线的测试表明，上、下梯度薄膜均表现出良好的铁电性质，其剩余极化强度! 分别为 24 . 3 和26. 8 !C ·cm - 2 . 经热释电性能测试表明，热释电系数随着温度的升高逐渐增加，室温下上、下梯度薄膜的 热释电系数分别为5. 78 和4 . 61 X 10 - 8 C ·cm - 2 K - 1 ，高于每个单元的热释电系数. 关 键 词：成分梯度薄膜；锆钛酸铅；快速热处理；热释电系数 中图分类号：TM221 文献标识码：A PREPARATION ，STRUCTURE AND CHARACTERISTICS ON COMPOSITIONALLY GRADED Pb（Zr ，Ti ）O x 1-x 3 FERROELECTRIC THIN FILMS LI Jian-Kang1 ， YA0 Xi2 （1. Department of EIectronic and Information Engineering ，