原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
高k 栅介质的可靠性问题
趋势与展望
Outlook and Future
高 k 栅介质的可靠性问题
王楠 , 汪辉
(上海交通大学 微电子学院 , 上海 200240)
摘要 : 随着集成电路特征尺寸的不断缩短 , 利用先进的高 k/ 金属栅堆叠来取代传统的 SiO /
2
多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然 , 确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常
重要的。综述了高 k 栅介质可靠性的研究现状 , 阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问
( )
题 , 对偏压温度不稳定现象 BTI 和高 k 击穿特性进行了探讨 。
关键词 : 高介电常数 ; 电荷捕获 ; 金属栅 ; 偏压温度不稳定性
中图分类号 : TN3041 ; TN3861 文献标识码 : A 文章编号 : 1003353X (2009)
Reliability Issues of Highk Gate Dielectrics
Wang Nan , Wang Hui
( School of Microelectronics , S hanghai J iao Tong University , S hanghai 200240 , China)
Abstract : With the scalability of the feature size of ICs , using advanced highk/ metal gate stack to
replace traditional polySi/ SiO2 gate structure becomes inevitable , it is very important to guarantee sufficient
reliability for these new types of gate stacks. The status of reliability studies of highk gate dielectrics are
reviewed , the problems of threshold voltage instability caused by transient charging effects are illustrated .
Some insights in the mechanisms of bias temperature instability (BTI) and highk breakdown are also
discussed .
Key words : highk ; charge trapping ; metal gate ; bias temperature instability
EEACC : 7310B ; 2520
的功函数与传统的多晶硅栅材料不匹配 , 会产生严
0 引言
重的多晶硅耗尽效应 , 增大栅电阻 , 导致费米能级
随着 MOSFET 尺寸的等比例缩小 , 传统的 SiO2 的钉扎和高
文档评论（0）