三氯氢硅、四氯化硅相关反应.docVIP

02．三氯氢硅氢还原反应基本原理 用氢气作为还原剂，在1100～1200℃下还原SiHC13，是目前多晶硅生产的主要方法。由于氢气易于净化，而且在硅中的溶解度极低，所以用氢气还原生产的 多晶硅较其他还原剂(如锌、碘)所制得的多晶硅纯度要高得多。 2.1 三氯氢硅氢还原反应原理 SiHCl3和H2混合，加热到900℃以上，就能发生如下反应： 同时，也会产生SiHCl3的热分解以及SiCl4的还原反应: 此外，还有可能有 以及杂质的还原反应： 这些反应,都是可逆反应，所以还原炉内的反应过程是相当复杂的。在多晶 硅的生产过程中，应采取适当的措施，抑制各种逆反应和副反应。以上反应式中， 第一个反应式和第二个反应式可以认为是制取多晶硅的基本反应，应尽可能地使 还原炉内的反应遵照这两个基本反应进行。 四氯化硅氢化 1． 四氯化硅来源与性质 1.1 四氯化硅的产生 在多晶硅生产过程中，在SiHCl3 合成工序和氢还原制取多晶硅工序，会产生大量的副产物SiCl4，并随着尾气排出。 在氢还原工序中，会发生以下几个反应： 主反应： 副反应： 在SiHCl3合成工序中主要发生以下反应： 主反应： 副反应： SiHCl3合成中副反应产生的SiCl4约占生成物总量的约 10% ，在氢还原工序中也有部分SiHCl3