垂直构型有机场效应晶体管研究.pdf

中文摘要 摘要：信息化高速发展的今天，大规模集成电路技术和终端显示技术成为信息化 社会的两大最重要的支柱技术。传统的Si基半导体工艺存在投资成本高、制备工 艺复杂、不适于柔性基底和大面积生产等不足。有机场效应晶体管以其新颖、低 成本、可与柔性衬底兼容的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显 示阵列和集成电路提供了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。 本文将从器件结构入手，制备了垂直构型有机薄膜场效应晶体管，使器件的 沟道长度降到纳米量级，详细分析了影响这种场效应晶体管器件性能的各种因素。 首先，我们对一系列绝缘材料的电学特性进行了表征。利用交流阻抗谱和C-V 数值为1511F，建立了等效电路模型，求出了其等效电路图。用类似的方法，也分 别测得了Si02、PMMA、SiN；和Tiox薄膜的单位电容值。 其次，我们成功地制备了垂直构型有机场效应晶体管。通过分析有机半导体 层与金属电极的界面接触和栅绝缘层的电容特性，探讨了器件的工作机理。 栅绝缘层的器件“开／关电流比为20，对源极进行氧化处理并加入LiF薄层之后， V。 器件的“开／关电流比提高到103，其开启电压低于3 电容单元的单位电容量大小对晶体管器件的性能影响很大。当用厚的低介电 常数的绝缘材料为电容单元时，晶体管器件的源漏电流几乎不随栅压的改变而改 变；当用薄的高介电常数的绝缘材料为电容单元时，则因漏电流较大以及界面聚 集电荷较多而容易隧穿肖特基势垒，导致器件的源漏电流较大，且出现零点漂移 现象。 (2)制备了基于酞菁铜(CuPc)的垂直构型场效应晶体管器件，得到在相同栅 绝缘层下器件的“开／关”电流比低于基于Pentacene的垂直构型场效应晶体管器件 低，器件工作电流较大。 关键词：垂直构型有机场效应晶体管；绝缘材料；Pentacene；“开／关”电流比 分类号：0471．5；0472+．4；0484．4 ABSTRACT ABSTRACT：Withthe of high-speeddevelopment terminal becomethetwo scale circuits and integratedtechnology displaytechnology most ininformation-based Si-based importantsupporttechniques society．Traditional semiconductorhavesuch as highinvestingcost，complicated techniques disadvantages suitforflexiblesubstrateand area preparationengineering．not large production．Witll the of costand field—effecttransistorhad novelty,low advantages flexibility,organic thebestsolutionschemestoachieveareaand rapidly,whichprovides large developed an fexibleflat and