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电力电子器件 Power Electronic Devices 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1. 3 半控器件—晶闸管 三、导通和关断的条件 1. 导通条件： 三、导通和关断的条件 注：1）只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段； 2）光触发是专门设计的，可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 三、导通和关断的条件 （1）UA=0(去掉阳极电压） （2） UA0(阳极加反压） （3）使流过晶闸管的电流小于维持电流 1.3.2 晶闸管的基本特性 1. 静态特性(Static characteristics) 晶闸管的伏安特性 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 2. 动态特性(Switching characteristics of thyristor) (1) 开通过程 td----延时时间 tr-----上升时间 开通时间tgt=td+tr 1.3.3 晶闸管的主要参数 (Specifications of thyristor) 1. 额定电压 注：通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。 1)??通态平均电流 IT(AV) （Average on-state current） 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 2)? 维持电流 IH （Holding current ） 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。 1.3.3 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 1.4 典型全控型器件Typical fully- controlled devices 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.4.1 门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 1.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器 1.4.2 电力晶体管-GTR 术语用法： (1) 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） (2)耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 1. GTR的结构和工作原理 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 1. GTR的结构和工作原理 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、 放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 (2)? 动态特性 (2)? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。 (2)? 动态特性 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 2)?集电极最大允许电流IcM 3) 集电极最大耗散功率PcM 目前GTR的容量已达400A/1200V、1000A/400V，工作频率可达1~10Hz