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半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚，成为自由电子；也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，因此，半导体的导电特性介于二者之间。半导体可分为本征半导体和杂质半导体。 1.1.1 本征半导体 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导 体材料是硅和锗，它们都是四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。 为便于讨论，本征半导体的简化原子结构模型如图1-1 所 示。假设把硅或锗材料拉制成单晶体时，相邻两个原子的一 对最外层电子（价电子）成为共有电子，它们一方面围绕自 身的原子核运动，另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。 即价电子不仅受到自身原子核的作用，同时还受到相邻原子 核的吸引。 两个相邻的原子共有一对价电子，组成共价键结构。故晶 体中，每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧 密地联系起来，如图1-2所示。 1.3.1 二极管伏安特性 此式说明, 在半波整流情况下, 负载上所得的直流电压只有变压器次级绕组电压有效值的45%。如果考虑二极管的正向电阻和变压器等效电阻上的压降, 则UO数值还要低。 在半波整流电路中, 二极管的电流等于输出电流, 所以 2. 单相全波整流电路 ▼ 电路与工作原理 为提高电源的利用率, 可将两个半波整流电路合起来组成一个全波整流电路, 如图1-10(a)所示。二极管VD1、VD2在正、负半周轮流导电, 且流过负载RL的电流为同一方向, 故在正、负半周, 负载上均有输出电压。 图 1-10 全波整流电路 ▼ 直流电压UO和直流电流IO的计算 由输出波形可看出, 全波整流输出波形是半波整流时的两倍, 所以输出直流电压也为半波时的两倍, 即 * 第一章 半导体二极管及其电路分析 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 二极管应用电路 1.1 半导体基础知识 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 物质的导电特性取决于原子结构。 导体一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此，在外电场作用下, 这些电子产生定向运动（称为漂移运动）形成电流，呈现出较好的导电特性。 高价元素（如惰性气体）和高分子物质（如橡胶、塑料）最外层电子受原子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子, 所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。 图 1-1 本征半导体 简化原子结构模型 图 1-2 本征半导体共价键晶体结构示意图 共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量，其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时必然在共价键中留下空位，称为空穴。空穴带正电，如图 1-3所示。 图 1-3 本征半导体中的自由电子和空穴 由此可见, 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中, 自由电子与空穴是同时成对产生的, 因此, 它们的浓度是相等的。 价电子在热运动中获得能量产生了电子-空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量, 与空穴相遇, 使电子、 空穴对消失, 这种现象称为复合。在一定温度下, 载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的，载流子的浓度是一定的。本征半导体中载流子的浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关, 而且随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。因此，半导体载流子浓度对温度十分敏感。此外，半导体载流子浓度还与光照有关，人们正是利用此特性，制成光敏器件。 1.1.2 杂质半导体 1. Ｎ型半导体 在本征半导体中, 掺入微量５价元素（如磷、锑）, 则原来晶格中的某些硅（锗）原子被杂质原子代替。由于杂质原子的最外层有５个价电子, 因此它与周围４个硅（锗）原子组成共价键时, 还多余 1 个价电子。 它不受共价键的束缚， 而只受自身原子核的束缚，因此它只要得到较少的能量就能成为自由电子，并留下带正电的、不能参与导电的杂质离子，如图1-4所示。显然, 这种杂质半导体中电子浓度远远大于空穴浓度，从而主要靠电子导电，所以称为Ｎ型半导体。由于５价杂质原子可提供自由电子，故称为施主杂质。Ｎ型半导体中，自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。 图 1-4 N型半导体共价键结构 2. P型半导体 在本征半导体中 掺入微量３价元素， 如硼、镓、铟等, 则原来晶格中的某些硅（锗）原子被杂质原子代替。如