多孔硅的模板限制镁热还原法制备及性能.pdfVIP

物理化学学报(耽拓胁l甜掰P魁fP6口D) November 彳c￡口P力堪．一C锄砌．．蜘．20ll，27(11)，2719—2725 2719 【Anicle】 、)ln^，、Ⅳ．whxb．pku．edu．cn 多孑L硅的模板限制镁热还原法制备及性能 陈珂 包志豪 刘冬 朱秀榕 张志华 周斌’ (同济大学，上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室，上海200092) 摘要：采用一种基于气一固反应机制的模板限制镁热还原法，以SiO：气凝胶为模板在低温(650。C)下制备出一 种高比表面积纳米多孔硅材料．利用X射线衍射(xRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里 叶变换红外(FTIR)光谱、X射线光电子能谱(XPS)和比表面积(BET)分析等表征手段对样品的成分、物相结构、 微观形貌和孔结构进行分析，并初步研究了材料的光学特性和电化学性能．结果表明，产物为纳米硅晶体颗粒 组成的多孔结构，保留了与原始气凝胶模板相似的微观形貌，比表面积高达602 m2·g～．该材料在室温下表现 出显著的红光光致发光特性，且具有较高的储锂容量和较好的嵌入，脱出锂性能． 关键词： 多孔硅：模板限制：镁热还原：气凝胶：高比表面积 中图分类号：0643 COnfined and ofPorousSiIiconfromSi¨ca Properties Synthesis ReductiOn AerogeITbmpIateSbyMagnesiOthermiC BAO LIU ZHU ZHANGZhi-HuaZHOUBin+ CHENKe Zhi—HaO D0ng Xiu-R0ng Mtcmstmctt‘reMaterints硼d 200092．P 岱h骶ghmKe))Laborntory醇Spec诚t TechnologyTon西iUn“ersi哆shangh口tR．chin曲 Abstract：NOveI SiIiconwas convertedfromSi02 a nanOpOrous successfu¨y aerogeIsby o reductionatlow ona reaction． tempIate．confinedmagnesiothermictemperature(650C)basedgas—soIid the were The∞mpOsitiOn，crystaIstructu陀，mOrph0IOgy’andpO陀structu陀0fsamplesanaIyzedbyX—ray eIectron eIectron di仟raction(XRD)，scanningmicroscopy(SEM)，t陀nsmission transform