变温磷吸杂对多晶硅性能的影响.pdfVIP

第28卷第2期 太阳能学报 V01．28．No．2 2007年2月 AI：7I’AENERGIAESOLARISSINICA Feb．．姗 变温磷吸杂对多晶硅性能的影响 陈金学，席珍强，吴冬冬，杨德仁 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘要：用微波光电导衰减仪(肛PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能 的影响。实验发现：变温吸杂明显优于恒温吸杂，特别是对原生高质量多晶硅；其优化的变温磷吸杂工艺为 要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。 关键词：多晶硅；磷吸杂；少子寿命 中图分类号：粥1 文献标识码：A 0引言 1 实 验 铸造多晶硅因其较高的性价比已成为太阳电池 1．1实验过程 最重要的原材料。但与单晶硅相比，它有较高密度 样品选用同一硅锭相邻位置处的铸造多晶硅 的晶界、位错、微缺陷等结构缺陷和大量的金属杂质 片，以确保样品具有相同的性能。硅片切割为 (特别是过渡族金属¨o)，从而导致铸造多晶硅太阳 电池效率低于直拉单晶硅电池效率。 J．chun等人【20通过电子束诱生电流(EBIc)研 度约为4．6×1017cm～，碳浓度约为5．1×1017cm～。 究发现，在室温下干净的晶界对少数载流子只具有 首先用腐蚀液去除表面20脚左右的机械损伤层，接 很弱的复合活性；Higgs等人b1发现纯净的位错也几 着用标准的RcA清洗液进行清洗，去除硅片表面的 乎没有复合活性。但这些晶界等结构缺陷与过渡族 沾污。将清洗后的硅片样品采用旋涂的方法在硅片 金属相互作用却极大地降低了器件的电学性能，从 而降低了太阳电池的转换效率HJ。在太阳电池的生 磷源，其磷原子的浓度为2×1021cm～，旋涂速度为 产工艺中，制备P_N结的同时，可以用磷吸杂的方法 来吸除电池体内的过渡族金属杂质，从而大幅度地 右的磷膜。 提高电池的转化效率【5’6J。因此磷吸杂成为制备低 将旋涂完磷源的样品放入常规热处理炉中在 成本、高效率晶体硅太阳电池的关键步骤之一。在 近20余年中，人们主要研究了恒温磷吸杂的效果和 机理，却很少有人研究变温磷吸杂的效果。本文通 过比较恒温磷吸杂和变温磷吸杂的不同，发现变温 杂一定的时间然后缓慢冷却至较低的温度再吸杂一 吸杂比恒温吸杂具有更好的吸杂效果；同时指出磷 定的时间，所有的吸杂处理都是在氮气氛保护下进 吸杂的驱动力主要是金属杂质在不同区域的分凝所 行，具体的实验内容见表l。将吸杂处理后的样品 决定的。 除表面的磷硅玻璃层，然后进行少子寿命测量，在测 量前要对样品表面进行钝化处理。 收稿日期：2004．04．20 基金项目：国家自然科学基金(9030r7010； 教育部高校博士点基金 万方数据万方数据 2期 陈金学等：变温磷吸杂对多晶硅性能的影响 161 温 温 度 度 时间 时间 图1恒温吸杂 图2变温吸杂 18础e册al tre栅ems V耐枷e